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安派瑞nsm071-100nse n通道ASFET的介紹、特性、及應用
安派瑞nsm071-100nse n通道ASFET的介紹、特性、及應用
安派瑞PSMN071-100NSE n通道ASFET專為繼電器更換、浪涌管理和電池管理應用而設計。該ASFET包括一個增強的安全操作區(qū)域(SOA)，用于優(yōu)越的線性模式操作。PSMN071-100NSE n溝道ASFET提供低漏源導通狀態(tài)電阻，具有低I(2)R導通損耗。該ASFET的最大漏源電壓為100V，最大漏源電流為9.8A，最大總功耗......
安派瑞 nsm0... n通道A...
2024-03-06
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開關損耗，能夠實現高效的工作。mosfet專為過載條......
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2024-03-05
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續(xù)漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小......
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2024-03-05
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onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
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2024-03-05
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MCC MCU75 n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應用
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MCC mccu75 n溝道m(xù)osfet具有AEC-Q101認證，確保高汽車可靠性。MCC MCU75采用分柵溝槽MOSFET技術和高密度電池設計，可實現超低R(DS)，有助于提高性能。mosfet具有1級濕度靈敏度和無鹵素“綠色”標識，用于環(huán)境考慮。環(huán)氧樹脂符合嚴格的UL 94V-0可燃性等級，提高了安全性。此外，無鉛表面處理確保符合R......
MCC MCU7... n溝道M...
2024-03-05
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MCC MCG60N n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應用
MCC MCG60N n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應用
MCC MCG60N n溝道m(xù)osfet通過AEC-Q101認證，確保汽車級可靠性。MCC MCG60N MOSFET采用分柵溝槽MOSFET技術，具有高密度電池設計，導致低R(DS(on))。這些組件的濕度敏感等級為3，在不同的環(huán)境條件下表現出強大的性能。此外，這些設備不含鹵素，被指定為“綠色”設備。使用的環(huán)氧樹脂符合UL 94V-0可......
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2024-03-05
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利用雙MOSFET最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能（LFPAK56D MOSFET和IAN50012）
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　　作者：Jens Wallmann　　工業(yè)和汽車開關轉換器和電機驅動器需要體積小、效率高且產生最小電噪聲的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求?！　⊥ㄟ^將兩個 MOSFET 放入單個封裝中，精心設計的雙 MOSFET 可以減少印刷電路板 (PCB) 上的空間占用，減少寄生電感，并通過提......
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2024-03-04
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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVTYS020N08HL功率MOSFET是一款80V, 20毫歐和30A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS020N08HL功率MOSFET通過aec - q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
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2024-03-04
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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低電容以最小化驅動器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過AEC-Q101認證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向......
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2024-03-04
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過aec - q101認證，支持ppap。該M......
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2024-03-04
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安派瑞PSMNx n溝道m(xù)osfet封裝(LFPAK56封裝)的介紹、特性、及應用
安派瑞PSMNx n溝道m(xù)osfet封裝(LFPAK56封裝)的介紹、特性、及應...
安派瑞PSMNx n溝道m(xù)osfet封裝在高效、節(jié)省空間的LFPAK56封裝中。這些mosfet是雪崩級的。PSMNx n溝道m(xù)osfet支持175°C的最高結溫。這些mosfet符合歐盟rohs標準。PSMNx n溝道m(xù)osfet的峰值焊接溫度為260°C，存儲溫度范圍為-55°C至175°C。典型的應用包括DC- DC轉換器和無刷直流......
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2024-03-04
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術，提供卓越的開關性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
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2024-03-04
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利用雙MOSFET LFPAK56D最大限度地提高開關轉換器應用的功率密度和性能(BUK7S1R0-40H和PSMN014-40HLDX)
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2024-02-28
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2024-02-28
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2024-02-28
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2024-02-28
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術，提供卓越的開關性能。與傳統的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
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2024-02-28
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Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標準MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統中，不允許傳統的表面貼裝設備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關閉器件，結合了......
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2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統的優(yōu)點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
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2024-02-28
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Nexperia BXK9Q29-60A n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
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安派瑞B(yǎng)XK9Q29-60A n溝槽MOSFET是一種采用溝槽MOSFET技術的小型SOT8002-3 (MLPAK33) SMD塑料封裝中的增強模式場效應晶體管(FET)。該n溝道MOSFET具有邏輯級兼容，快速開關，并且在175°C下完全符合AEC-Q101標準。BXK9Q29-60A溝槽MOSFET的最大漏源電壓為60V，最大漏極峰......
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2024-02-27
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