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Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
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Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一種正常關(guān)閉的器件，使用Transphorm的Gen IV平臺(tái)。第四代SuperGaN平臺(tái)采用先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，簡化了可制......
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2024-03-21
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Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺(tái)，該平臺(tái)支持先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，可簡化制造過程。TP65H050G4YS 650V FET結(jié)合了最先進(jìn)的高......
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2024-03-21
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Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)管是一種240毫歐正常關(guān)閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺(tái)，該平臺(tái)結(jié)合了先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，以簡化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓......
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2024-03-21
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Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導(dǎo)通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統(tǒng)中，不允許傳統(tǒng)的表面貼裝設(shè)備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關(guān)閉器件，結(jié)合了......
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2024-02-28
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Transphorm在中國開設(shè)氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室
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Transphorm在中國開設(shè)氮化鎵（GaN）應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室是一個(gè)重要的戰(zhàn)略舉措，旨在加強(qiáng)其在中國乃至亞太地區(qū)的業(yè)務(wù)布局和技術(shù)支持。以下是關(guān)于Transphorm在中國開設(shè)氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的詳細(xì)情況：一、背景介紹Transphorm是一家全球性的半導(dǎo)體公司，專注于開發(fā)適合高電壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的氮化鎵（GaN）FET。憑借業(yè)界領(lǐng)先的IP產(chǎn)品組合和......
氮化鎵
2022-12-05
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