Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標準MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統(tǒng)中，不允許傳統(tǒng)的表面貼裝設備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關閉器件，結合了低壓硅MOSFET和高壓GaN HEMT技術，提供卓越的可靠性和性能。Gen IV SuperGaN平臺利用先進的epi和專利設計技術，通過降低柵極電荷、交叉損耗、輸出電容和反向恢復電荷，簡化了制造過程，提高了硅的效率。Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET是數據通信，工業(yè)，計算和其他應用的理想選擇。

特性

• 第四代科技

• 通過jedec認證的GaN技術

• 動態(tài)R(DS(on)eff)生產測試

• 船殼冷卻

• 穩(wěn)健設計，定義為
  

• 寬柵極安全裕度

• 瞬態(tài)過電壓能力

• 超低反向回收費用(Q(RR))

• 降低交叉損耗

• 提高了硬開關和軟開關電路的效率
  

• 提高功率密度

• 減小系統(tǒng)尺寸和重量

• 整體較低的系統(tǒng)成本

• 易于驅動與常用的柵極驅動器

• GSD引腳布局改善了高速設計

• 符合rohs標準和無鹵素包裝

應用程序

• 數據通信

• 廣泛的工業(yè)

• 光伏逆變器

• 伺服電機

• 計算

規(guī)范

• 10mm × 15mm尺寸

• 72毫歐典型的R(DS(on))

• 85毫歐最大R(DS(on))

• 4V典型閾值電壓(V(th))

• 29A最大連續(xù)漏極電流(I(D))

• 0數控Q (RR)

• -55°C至150°C外殼和結的工作溫度范圍

簡化半橋原理圖