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Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN GaN場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
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Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)管是一種240毫歐正常關(guān)閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺，該平臺結(jié)合了先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，以簡化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。這種氮化鎵場效應(yīng)管通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復(fù)電荷來提高效率。典型應(yīng)用包括消費(fèi)類、電源適配器、低功耗SMPS和照明。
特性
第四代科技
通過jedec認(rèn)證的GaN技術(shù)
動(dòng)態(tài)RDS(on)eff)生產(chǎn)測試
穩(wěn)健設(shè)計(jì)，定義如下:
寬柵極安全裕度
瞬態(tài)過電壓能力
非常低的Q(RR)
降低交叉損耗
提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率
提高功率密度
減小系統(tǒng)尺寸和重量
整體較低的系統(tǒng)成本
易于驅(qū)動(dòng)與常用的柵極驅(qū)動(dòng)器
GSD引腳布局改善了高速設(shè)計(jì)
符合rohs標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素包裝
規(guī)范
650V漏源電壓V(DSS)
800V瞬態(tài)漏源電壓V(DSS(TR))
±12V門源電壓VGSS
21W最大功率耗散(PD) @T(C)=25℃
連續(xù)漏極電流I(D):
@T 6.5 (C) = 25°C
@T 4.1 (C) = 100°C
30A脈沖漏極電流I(DM)(脈沖寬度:10μs)
2V ~ 2.8V柵極閾值電壓V(GS)范圍
漏源極導(dǎo)通電阻:
240毫歐 ~ 312毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)
492毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)
典型電容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):
730 pf輸入
16 pf輸出
2pF反向轉(zhuǎn)移
充電(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):
8.8nC柵極總電荷
2.5nC柵極源電荷
1.2nC柵漏電荷
38nC輸出電荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)
應(yīng)用程序
消費(fèi)者
電源適配器
低功率SMPS
照明
責(zé)任編輯：David
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