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Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
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Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)管結(jié)合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一種正常關(guān)閉的器件，使用Transphorm的Gen IV平臺。第四代SuperGaN平臺采用先進的epi和專利設(shè)計技術(shù)，簡化了可制造性。TP65H300G4JSGB GaN場效應(yīng)管具有650V漏源電壓和41.6W的最大功耗，當(dāng)t (C)=25°C時。典型應(yīng)用包括消費類電源適配器、低功耗SMPS和照明。
特性
第四代科技
通過jedec認證的GaN技術(shù)
動態(tài)R(DS(on)eff)生產(chǎn)測試
穩(wěn)健設(shè)計，定義為
寬柵極安全裕度
瞬態(tài)過電壓能力
非常低的Q(RR)
降低交叉損耗
提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率
提高功率密度
減小系統(tǒng)尺寸和重量
整體較低的系統(tǒng)成本
符合rohs標準和無鹵素包裝
規(guī)范
650V漏源電壓V(DSS)
800V瞬態(tài)漏源電壓V(DSS(TR))
±10V柵源電壓V(GSS)
41.6W最大功耗(P(D)) @T(C)=25℃
連續(xù)漏極電流I(D):
@T 9.2 (C) = 25°C
@T 5.8 (C) = 100°C
30A脈沖漏極電流I(DM)(脈沖寬度:10μs)
2V ~ 2.8V柵極閾值電壓V(GS)范圍
漏源極導(dǎo)通電阻:
240毫歐 ~ 312毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)
492毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)
典型電容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):
400 pf輸入
16 pf輸出
0.8pF反向轉(zhuǎn)移
充電(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):
3.5nC總柵極電荷
1.4nC柵源電荷
0.64nC柵漏電荷
19nC輸出電荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)
應(yīng)用程序
消費者
電源適配器
低功耗smp
照明
責(zé)任編輯：David
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