Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺(tái)，該平臺(tái)支持先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，可簡(jiǎn)化制造過(guò)程。TP65H050G4YS 650V FET結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。這種SuperGaN FET通過(guò)降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復(fù)電荷，提高了硅的效率。典型的應(yīng)用包括數(shù)據(jù)通信、廣泛的工業(yè)、光伏逆變器和伺服電機(jī)。

特性

• 通過(guò)jedec認(rèn)證的GaN技術(shù)

• 動(dòng)態(tài)R(DS(on)eff)生產(chǎn)測(cè)試

• 穩(wěn)健設(shè)計(jì)，定義如下:

• 寬柵極安全裕度

• 瞬態(tài)過(guò)電壓能力

• 增強(qiáng)的涌流能力

• 非常低的Q(RR)

• 降低交叉損耗

• 支持AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC設(shè)計(jì):

• 提高功率密度

• 減小系統(tǒng)尺寸和重量

• 整體較低的系統(tǒng)成本

• 提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率

• 易于驅(qū)動(dòng)與常用的柵極驅(qū)動(dòng)器

• GSD引腳布局改善了高速設(shè)計(jì)

規(guī)范

• 650V漏源電壓V(DSS)

• 800V瞬態(tài)漏源電壓V(DSS(TR))

• ±20V柵源電壓V(GSS)

• 132W最大功率耗散(PD) @T(C)=25℃

• 連續(xù)漏極電流I(D):

• 35一個(gè)@T (C) = 25°C

• 22 @T (C) = 100°C

• 150A脈沖漏極電流I(DM)(脈沖寬度:10μs)

• 3.3V ~ 4.8V門限電壓V(GS)范圍(V(DS)=V(GS)， I(D)=0.7mA)

• 漏源極導(dǎo)通電阻:

• 50毫歐 ~ 60毫歐 (V(GS)=10V, I(D)=22A)

• 105毫歐 (V(GS)=10V, I(D)=22A, T(J)=150℃)

• 典型電容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

• 1000 pf輸入

• 110 pf輸出

• 2.7pF反向傳遞

• 充電(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

• 16nC至24nC總柵極電荷

• 6nC柵源電荷

• 5nC柵漏電荷

• 112nC輸出電荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

• 50kHz至100kHz工作頻率范圍

應(yīng)用程序

• 數(shù)據(jù)通信

• 廣泛的工業(yè)

• 光伏逆變器

• 伺服電機(jī)