Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)管是一種240毫歐正常關(guān)閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺(tái)，該平臺(tái)結(jié)合了先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，以簡(jiǎn)化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓......