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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續(xù)漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。
特性
占地面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊
低R(DS(on))，最小化傳導(dǎo)損耗
低Q(G)和電容，最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
通過(guò)aec - q101認(rèn)證，具備PPAP能力
無(wú)鉛，無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃，無(wú)鈹，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
48 v系統(tǒng)
開(kāi)關(guān)電源
電池反保護(hù)
電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)、低側(cè)驅(qū)動(dòng)、h橋等)
規(guī)范
最大連續(xù)漏極電流177A
2.8毫歐在10V或3.8毫歐在4.5V R(DS(ON))最大
100V漏源電壓
±20V柵源電壓
脈沖漏極電流
-55°C至+175°C工作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍
典型的應(yīng)用程序
責(zé)任編輯：David
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