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onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。
特性
占地面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計緊湊
低R(DS(on))，最小化傳導(dǎo)損耗
低Q(G)和電容，最大限度地減少驅(qū)動器損耗
NVMFS5C604NWF -可濕側(cè)翼選項，用于增強光學(xué)檢查
通過aec - q101認(rèn)證，具備ppap能力
無鉛，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
電池反保護(hù)
開關(guān)電源
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動、低側(cè)驅(qū)動、h橋等)
規(guī)范
最大連續(xù)漏極電流
1.2毫歐最大10V R(DS(ON))
60V漏源電壓
±20V柵源電壓
900A脈沖漏極電流
-55°C至+175°C工作結(jié)和存儲溫度范圍
典型的應(yīng)用程序
責(zé)任編輯：David
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