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n溝道MOSFET
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MCC 40V自動(dòng)級(jí)n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用
MCC 40V自動(dòng)級(jí)n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用
MCC 40V自動(dòng)級(jí)n溝道m(xù)osfet設(shè)計(jì)用于在惡劣條件下工作，并符合嚴(yán)格的AEC-Q101行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些自動(dòng)級(jí)mosfet具有優(yōu)化的熱性能，高達(dá)175°C的工作結(jié)溫和低結(jié)殼熱阻，確保了出色的散熱和穩(wěn)定的工作。40V n溝道m(xù)osfet利用分柵溝槽技術(shù)提供可靠的性能，確保在各種操作條件下的使用壽命和彈性。這些mosfet采用高功率密度封裝......
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2024-04-19
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什么是irfz44n？IRFZ44N是一種N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），通常用于功率開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。這種器件被廣泛用于電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、照明系統(tǒng)以及各種需要高功率、高速開關(guān)的應(yīng)用中。IRFZ44N具有以下主要特性：高電流能力: IRFZ44N能夠承受較高的電流，通常在10安培以上。低導(dǎo)通電阻: 這意味著在導(dǎo)通狀......
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2024-04-09
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onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫歐(類型)和47A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。與硅相比，該MOSFET采用了一種全新的技術(shù)，提供了卓越的開關(guān)性能和高可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵極電荷。NVHL060N065SC1功率MO......
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2024-03-06
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onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。特性占地面積小(5mm x 6mm......
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2024-03-05
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MCC MCU75 n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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MCC mccu75 n溝道m(xù)osfet具有AEC-Q101認(rèn)證，確保高汽車可靠性。MCC MCU75采用分柵溝槽MOSFET技術(shù)和高密度電池設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)超低R(DS)，有助于提高性能。mosfet具有1級(jí)濕度靈敏度和無鹵素“綠色”標(biāo)識(shí)，用于環(huán)境考慮。環(huán)氧樹脂符合嚴(yán)格的UL 94V-0可燃性等級(jí)，提高了安全性。此外，無鉛表面處理確保符合R......
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2024-03-05
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MCC MCG60N n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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MCC MCG60N n溝道m(xù)osfet通過AEC-Q101認(rèn)證，確保汽車級(jí)可靠性。MCC MCG60N MOSFET采用分柵溝槽MOSFET技術(shù)，具有高密度電池設(shè)計(jì)，導(dǎo)致低R(DS(on))。這些組件的濕度敏感等級(jí)為3，在不同的環(huán)境條件下表現(xiàn)出強(qiáng)大的性能。此外，這些設(shè)備不含鹵素，被指定為“綠色”設(shè)備。使用的環(huán)氧樹脂符合UL 94V-0可......
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2024-03-05
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安派瑞PSMNx n溝道m(xù)osfet封裝(LFPAK56封裝)的介紹、特性、及應(yīng)用
安派瑞PSMNx n溝道m(xù)osfet封裝(LFPAK56封裝)的介紹、特性、及應(yīng)...
安派瑞PSMNx n溝道m(xù)osfet封裝在高效、節(jié)省空間的LFPAK56封裝中。這些mosfet是雪崩級(jí)的。PSMNx n溝道m(xù)osfet支持175°C的最高結(jié)溫。這些mosfet符合歐盟rohs標(biāo)準(zhǔn)。PSMNx n溝道m(xù)osfet的峰值焊接溫度為260°C，存儲(chǔ)溫度范圍為-55°C至175°C。典型的應(yīng)用包括DC- DC轉(zhuǎn)換器和無刷直流......
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2024-03-04
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安派瑞B(yǎng)XK9Q29-60A n溝槽MOSFET是一種采用溝槽MOSFET技術(shù)的小型SOT8002-3 (MLPAK33) SMD塑料封裝中的增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。該n溝道MOSFET具有邏輯級(jí)兼容，快速開關(guān)，并且在175°C下完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。BXK9Q29-60A溝槽MOSFET的最大漏源電壓為60V，最大漏極峰......
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2024-02-27
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Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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Nexperia BUK7Y1R0-40N;BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)osfet的設(shè)計(jì)和合格符合AEC-Q101要求，具有高性能和耐用性。這些mosfet提供快速高效的開關(guān)，具有最佳的阻尼和低尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M n溝道m(xù)osfet封裝在LFPAK56封裝中。BUK7Y1R0-40N n溝道MO......
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2024-02-27
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Micro Commercial Components (MCC) 1200V n溝道MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用如下：介紹MCC的1200V n溝道MOSFET是一款高性能的功率半導(dǎo)體器件，設(shè)計(jì)用于需要高開關(guān)頻率、高阻塞電壓和低通阻的應(yīng)用中。這款MOSFET采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，結(jié)合了低通阻和出色的雪崩能力，為各種電力電子設(shè)備提供了可......
MOSF... 開關(guān)頻率 高阻塞電...
2022-11-23
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