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英飛凌IR2184PBF MOSFET驅(qū)動器中文資料
英飛凌IR2184PBF MOSFET驅(qū)動器中文資料
英飛凌 IR2184PBF MOSFET 驅(qū)動器1. 型號與類型英飛凌（Infineon Technologies AG）是全球領先的半導體解決方案供應商，IR2184PBF 是其生產(chǎn)的高性能MOSFET驅(qū)動器之一。IR2184PBF 是一款高壓、雙通道MOSFET驅(qū)動器，主要用于驅(qū)動N溝道功率MOSFET。該型號的主要應用包括DC-DC......
英飛凌 IR21... MOSF...
2024-07-05
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Allegro A3941KLPTR-T MOSFET驅(qū)動器中文資料
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Allegro A3941KLPTR-T MOSFET驅(qū)動器Allegro A3941KLPTR-T 是一種高性能的N溝道功率MOSFET驅(qū)動器，專門用于直流電機控制和工業(yè)應用。該驅(qū)動器采用了先進的高電壓雙極CMOS（HVCMOS）技術，能夠在寬電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定運行。Allegro A3941KLPTR-T 具有多種封裝形式，常見的是16引......
Alle... A394... MOSF...
2024-07-05
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時科SKJ40N65-T7超級結(jié)MOSFET，提升性能的關鍵元件
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超級結(jié)MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應用廣泛，但什么樣標準的超級結(jié)MOS能夠為應用場景有效保駕護航，超級結(jié)MOS的選型要求及標準主要包括以下幾個方面：電流和電壓額定值電壓額定值(VDS)：MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級如600V、650V、......
SKJ4... MOSF... 時科
2024-06-06
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應用
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英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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MCC 40V自動級n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應用
MCC 40V自動級n溝道m(xù)osfet的介紹、特性、及應用
MCC 40V自動級n溝道m(xù)osfet設計用于在惡劣條件下工作，并符合嚴格的AEC-Q101行業(yè)標準。這些自動級mosfet具有優(yōu)化的熱性能，高達175°C的工作結(jié)溫和低結(jié)殼熱阻，確保了出色的散熱和穩(wěn)定的工作。40V n溝道m(xù)osfet利用分柵溝槽技術提供可靠的性能，確保在各種操作條件下的使用壽命和彈性。這些mosfet采用高功率密度封裝......
MCC n溝道M...
2024-04-19
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中轉(zhuǎn)化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導體應用提供了優(yōu)勢，如光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅(qū)動和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產(chǎn)品減少了......
英飛凌 Cool...
2024-04-18
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?什么是irfz44n N溝道MOSFET？irfz44n的工作原理 參數(shù) 特點 應用 作用 引腳圖
?什么是irfz44n N溝道MOSFET？irfz44n的工作原理 參數(shù) 特點...
什么是irfz44n？IRFZ44N是一種N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），通常用于功率開關和調(diào)節(jié)電路中。這種器件被廣泛用于電源電路、電機驅(qū)動器、照明系統(tǒng)以及各種需要高功率、高速開關的應用中。IRFZ44N具有以下主要特性：高電流能力: IRFZ44N能夠承受較高的電流，通常在10安培以上。低導通電阻: 這意味著在導通狀......
irfz...
2024-04-09
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mos是什么意思
mos是什么意思
mos是什么意思MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET"是 "Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor" 的縮寫，即金屬氧化物半導體場效應晶體管。它是一種主要用于電子設備和集成電路中的重要半導體器件。結(jié)構(gòu)：MOSFET 通常由以下幾個主要部分組成：......
MOS MOSF...
2024-03-29
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關損耗)的介紹、特性、及應用
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關損耗)的介...
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開關損耗，低結(jié)殼熱阻，非常堅固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個開爾文參考穩(wěn)定運行。所有部件都經(jīng)過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點是穩(wěn)健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結(jié)溫下，符合rohs標準。典型應......
Semi... GCMX SiC ...
2024-03-28
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IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應用
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IXYS IX4352NE 9A低側(cè)SiC MOSFET和IGBT驅(qū)動器是柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅(qū)動器具有獨立的9A源和接收輸出，允許定制的導通和關斷時間，同時最大限度地減少開關損耗。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器提供用戶可選擇的負柵極驅(qū)動偏置，以提高dV/dt抗擾度和更快的關斷速度......
IXYS ix43... 柵極驅(qū)動...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V柵源電壓下的導通電阻僅為28毫歐。該n溝道MOSFET與流行的D2PAK 4引腳配合良好，并包含開爾文源引腳，可降低開關損耗并顯著提高能效。這款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩堅固性，能夠......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-28
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NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件(GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應用
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件...
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件具有兩個GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器。NXP FRDMGD3162RPEVM配備Freedom KL25Z微控制器硬件，可通過PC上的Flex GUI軟件與GD3162柵極驅(qū)動設備進行通信。這種通信既可以發(fā)生在菊花鏈中，也可以發(fā)生......
GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
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臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET是采用Trench技術構(gòu)建的250V低壓單配置MOSFET。該MOSFET具有22A連續(xù)漏極電流，60毫歐漏極源電阻，78W功耗和71nC柵極電荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向傳輸電容，無鉛，無鹵素，符合RoHS標準。該功率MOSFET是不間斷電源(UPS......
臺積電 TSM6... n溝道功...
2024-03-25
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MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、...
microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫歐超低導通電阻，有助于最大限度地減少傳導損耗并提高電源應用中的能效。這種SiC MOSFET具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，可以在高結(jié)溫(高達+175°C)下工作，確保在惡劣和具有挑戰(zhàn)性的條件下可靠運行。1700V的......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-25
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSF...
　　與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗并提高效率?！　　　oolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質(zhì)因數(shù)進行了改進。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊)的介紹、特性、及應用
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率M...
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度傳感功能，適用于48V輕度混合動力汽車應用。該2相功率MOSFET模塊采用直接鍵合銅(DBC)襯底進行電隔離，以實現(xiàn)低Rthjc。NXV08H350XT1模塊設計緊湊，模塊總電阻低，系統(tǒng)設計小巧、高效、可靠，降低了車輛油耗和CO(2......
ONSE... NXV0... MOSF...
2024-03-07
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onsemi NTMFS005P03P8Z單p溝道功率MOSFET（功率負載開關）的介紹、特性、及應用
onsemi NTMFS005P03P8Z單p溝道功率MOSFET（功率負載開關...
onsemi NTMFS005P03P8Z單p通道功率MOSFET是功率負載開關，電池管理和保護(反向電流，過壓和反向負電壓)的理想選擇。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C結(jié)溫范圍內(nèi)工作，提供-30V漏源電壓，10V導通電阻2.7毫歐和164A漏源/待機電流。onsemi NTMFS005P03P8Z封裝在5mm x ......
功率負載... ONSE... NTMF...
2024-03-07
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onsemi NVHL060N065SC1單n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi NVHL060N065SC1單n溝道MOSFET的介紹、特性、及應...
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫歐(類型)和47A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。與硅相比，該MOSFET采用了一種全新的技術，提供了卓越的開關性能和高可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵極電荷。NVHL060N065SC1功率MO......
ONSE... NVHL... 單n溝道...
2024-03-06
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開關損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的工作。mosfet專為過載條......
英飛凌 Cool... G2 m...
2024-03-05
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMFWS002N10MCL單n溝道功率mosfet具有177A連續(xù)漏極電流，2.8毫歐在10V R(DS(ON))和100V漏極源電壓。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引線封裝，設計緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應用的理想選擇。特性占地面積小......
ONSE... NVMF... n溝道功...
2024-03-05
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