onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊(雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊)的介紹、特性、及應用


onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊,具有溫度傳感功能,適用于48V輕度混合動力汽車應用。該2相功率MOSFET模塊采用直接鍵合銅(DBC)襯底進行電隔離,以實現(xiàn)低Rthjc。NXV08H350XT1模塊設計緊湊,模塊總電阻低,系統(tǒng)設計小巧、高效、可靠,降低了車輛油耗和CO(2)排放。模塊內的元件均通過AEC-Q101 (MOSFET)和AEC-Q200(無源)認證。NXV08H350XT1功率MOSFET模塊是48V逆變器和48V牽引應用的理想選擇。
特性
2相MOSFET模塊(在客戶端,該模塊可以通過組合2相輸出電源端子作為半橋MOSFET模塊使用)
低Rthjc的電隔離DBC襯底
緊湊的設計,低總模塊電阻
簡化車輛裝配
低熱阻
低電感
80V (V(DS))漏極到源電壓
模塊序列化以實現(xiàn)完全的可追溯性
模塊等級AQG324合格:
內部元件通過AEC-Q101 (MOSFET)和AEC-Q200(無源)認證
符合UL 94V-0標準
無鉛,符合rohs標準
應用程序
48 v逆變器
48 v牽引
框圖
包的尺寸
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經(jīng)允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。