時(shí)科SKJ40N65-T7超級(jí)結(jié)MOSFET,提升性能的關(guān)鍵元件


超級(jí)結(jié)MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲(chǔ)能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應(yīng)用廣泛,但什么樣標(biāo)準(zhǔn)的超級(jí)結(jié)MOS能夠?yàn)閼?yīng)用場(chǎng)景有效保駕護(hù)航,超級(jí)結(jié)MOS的選型要求及標(biāo)準(zhǔn)主要包括以下幾個(gè)方面:
電流和電壓額定值
電壓額定值(VDS):
MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級(jí)如600V、650V、700V等應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用的工作電壓來選擇。例如,對(duì)于微型儲(chǔ)能、家用電器設(shè)備,650V的MOSFET通常是合適的選擇。
電流額定值(ID):
需要根據(jù)應(yīng)用中的最大負(fù)載電流來確定MOSFET的額定電流,確保其能夠在最大負(fù)載下安全運(yùn)行。對(duì)于微型儲(chǔ)能、家用電器,高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。
導(dǎo)通電阻(Rds(on))
低導(dǎo)通電阻:
低導(dǎo)通電阻能夠減少導(dǎo)通損耗,提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)的MOSFET。例如,時(shí)科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A時(shí)的RDS(on)不超過99mΩ,是一個(gè)低導(dǎo)通電阻的優(yōu)秀選擇
開關(guān)性能
開關(guān)速度:
需要選擇具有快速開關(guān)速度的MOSFET,以適應(yīng)高頻應(yīng)用。超結(jié)eiMOS通常具有較短的上升時(shí)間、下降時(shí)間和開關(guān)延遲時(shí)間,適合高頻操作。
柵極電荷(Qg):
低柵極電荷能夠降低驅(qū)動(dòng)損耗,提升整體效率。
熱管理
熱阻(RθJA, RθJC):
MOSFET的熱阻參數(shù)決定其散熱能力,低熱阻能更好地將熱量傳導(dǎo)出去,防止過熱。
封裝類型:
選擇合適的封裝類型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如,SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝,具有良好的散熱性能。
安全裕度
雪崩能量(EAS):
確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力,以應(yīng)對(duì)意外的過電壓情況。
SOA(安全工作區(qū)):
需要在各種工作條件下都能安全運(yùn)行。
其他關(guān)鍵參數(shù)
其他關(guān)鍵參數(shù):
輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr):這些參數(shù)影響MOSFET的動(dòng)態(tài)性能,選擇時(shí)需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間快,可以提高整體效率。
超結(jié)MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度、熱管理、安全裕度、寄生參數(shù)以及應(yīng)用的具體需求,選擇合適的產(chǎn)品以確保最佳性能和可靠性。通過對(duì)上述的認(rèn)知了解,我們對(duì)超級(jí)結(jié)MOS選型有了標(biāo)準(zhǔn),那時(shí)科又有怎樣的超級(jí)結(jié)MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應(yīng)用場(chǎng)景服務(wù)。
SKJ40N65-T7 超級(jí)結(jié)MOSFET 主要特性
漏源電壓(VDS): 650V
連續(xù)漏極電流(ID): 40A
封裝類型: TO-247-3
閾值電壓(VGS(th): 2~4V
導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的條件下不超過99mΩ
超高速體二極管: 反向恢復(fù)時(shí)間更快,提高工作效率
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
低導(dǎo)通電阻: 超級(jí)結(jié)構(gòu)技術(shù)專門用于最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻,在高電壓下也能保持低導(dǎo)通電阻,有效減少開關(guān)損耗。
高開關(guān)性能: 優(yōu)秀的開關(guān)性能使其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少開關(guān)損耗,提高整體效率。
高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖,提高器件的可靠性。
超高速體二極管: 反向恢復(fù)時(shí)間快,進(jìn)一步提高工作效率,特別適合高頻開關(guān)電路。
典型應(yīng)用
01:家用電器
高效率電源管理:低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度減少熱量生成,提高整體系統(tǒng)效率。
EMI性能良好:低噪聲開關(guān)特性有助于減少電磁干擾,適應(yīng)高標(biāo)準(zhǔn)的顯示設(shè)備要求。
02:微型儲(chǔ)能
高效率和低待機(jī)功耗:低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率,減少能耗。
封裝和散熱能力:TO-247-3封裝具有良好的散熱性能,適用于高頻、高功率輸出的產(chǎn)品領(lǐng)域。
03:工業(yè)電源
高耐壓低阻抗:高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特性使其能夠在電力供應(yīng)應(yīng)用中穩(wěn)定運(yùn)行,提供可靠的電力傳輸。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。