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時(shí)科SKJ40N65-T7超級(jí)結(jié)MOSFET,提升性能的關(guān)鍵元件

來源: 時(shí)科官方投稿
2024-06-06
類別:業(yè)界動(dòng)態(tài)
eye 12
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

超級(jí)結(jié)MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲(chǔ)能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應(yīng)用廣泛,但什么樣標(biāo)準(zhǔn)的超級(jí)結(jié)MOS能夠?yàn)閼?yīng)用場(chǎng)景有效保駕護(hù)航,超級(jí)結(jié)MOS的選型要求及標(biāo)準(zhǔn)主要包括以下幾個(gè)方面:

電流和電壓額定值

電壓額定值(VDS):

MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級(jí)如600V、650V、700V等應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用的工作電壓來選擇。例如,對(duì)于微型儲(chǔ)能、家用電器設(shè)備,650V的MOSFET通常是合適的選擇。

電流額定值(ID):

需要根據(jù)應(yīng)用中的最大負(fù)載電流來確定MOSFET的額定電流,確保其能夠在最大負(fù)載下安全運(yùn)行。對(duì)于微型儲(chǔ)能、家用電器,高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。

導(dǎo)通電阻(Rds(on))

低導(dǎo)通電阻:

低導(dǎo)通電阻能夠減少導(dǎo)通損耗,提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)的MOSFET。例如,時(shí)科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A時(shí)的RDS(on)不超過99mΩ,是一個(gè)低導(dǎo)通電阻的優(yōu)秀選擇

開關(guān)性能

開關(guān)速度:

需要選擇具有快速開關(guān)速度的MOSFET,以適應(yīng)高頻應(yīng)用。超結(jié)eiMOS通常具有較短的上升時(shí)間、下降時(shí)間和開關(guān)延遲時(shí)間,適合高頻操作。

柵極電荷(Qg):

低柵極電荷能夠降低驅(qū)動(dòng)損耗,提升整體效率。

熱管理

熱阻(RθJA, RθJC):

MOSFET的熱阻參數(shù)決定其散熱能力,低熱阻能更好地將熱量傳導(dǎo)出去,防止過熱。

封裝類型:

選擇合適的封裝類型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如,SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝,具有良好的散熱性能。

安全裕度

雪崩能量(EAS):

確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力,以應(yīng)對(duì)意外的過電壓情況。

SOA(安全工作區(qū)):

需要在各種工作條件下都能安全運(yùn)行。

其他關(guān)鍵參數(shù)

其他關(guān)鍵參數(shù):

輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr):這些參數(shù)影響MOSFET的動(dòng)態(tài)性能,選擇時(shí)需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間快,可以提高整體效率。

超結(jié)MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度、熱管理、安全裕度、寄生參數(shù)以及應(yīng)用的具體需求,選擇合適的產(chǎn)品以確保最佳性能和可靠性。通過對(duì)上述的認(rèn)知了解,我們對(duì)超級(jí)結(jié)MOS選型有了標(biāo)準(zhǔn),那時(shí)科又有怎樣的超級(jí)結(jié)MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應(yīng)用場(chǎng)景服務(wù)。

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SKJ40N65-T7 超級(jí)結(jié)MOSFET 主要特性

漏源電壓(VDS): 650V

連續(xù)漏極電流(ID): 40A

封裝類型: TO-247-3

閾值電壓(VGS(th): 2~4V

導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的條件下不超過99mΩ

超高速體二極管: 反向恢復(fù)時(shí)間更快,提高工作效率

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技術(shù)優(yōu)勢(shì)

低導(dǎo)通電阻: 超級(jí)結(jié)構(gòu)技術(shù)專門用于最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻,在高電壓下也能保持低導(dǎo)通電阻,有效減少開關(guān)損耗。

高開關(guān)性能: 優(yōu)秀的開關(guān)性能使其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少開關(guān)損耗,提高整體效率。

高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖,提高器件的可靠性。

超高速體二極管: 反向恢復(fù)時(shí)間快,進(jìn)一步提高工作效率,特別適合高頻開關(guān)電路。

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典型應(yīng)用

01:家用電器

高效率電源管理:低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度減少熱量生成,提高整體系統(tǒng)效率。

EMI性能良好:低噪聲開關(guān)特性有助于減少電磁干擾,適應(yīng)高標(biāo)準(zhǔn)的顯示設(shè)備要求。

02:微型儲(chǔ)能

高效率和低待機(jī)功耗:低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率,減少能耗。

封裝和散熱能力:TO-247-3封裝具有良好的散熱性能,適用于高頻、高功率輸出的產(chǎn)品領(lǐng)域。

03:工業(yè)電源

高耐壓低阻抗:高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特性使其能夠在電力供應(yīng)應(yīng)用中穩(wěn)定運(yùn)行,提供可靠的電力傳輸。

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責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: SKJ40N65-T7 MOSFET 時(shí)科

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