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臺積電
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臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET是采用Trench技術(shù)構(gòu)建的250V低壓單配置MOSFET。該MOSFET具有22A連續(xù)漏極電流，60毫歐漏極源電阻，78W功耗和71nC柵極電荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向傳輸電容，無鉛，無鹵素，符合RoHS標準。該功率MOSFET是不間斷電源(UPS......
臺積電 TSM6... n溝道功...
2024-03-25
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臺積電MMSZ4X齊納二極管的介紹、特性、及應用
臺積電MMSZ4X齊納二極管的介紹、特性、及應用
臺積電MMSZ4X齊納二極管具有恒壓控制功能，并由陰極帶極性指示。這些二極管提供啞光鍍錫引線，可根據(jù)J-STD-002端子和SOD-123外殼進行焊接。MMSZ4X齊納二極管提供UL 94V-0可燃性等級成型化合物，符合rohs標準和無鹵素。這些二極管每J-STD-020濕度敏感等級1級，重10.97毫克(約)。MMSZ4X齊納二極管的工......
臺積電 MMSZ... 齊納二極...
2024-01-22
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臺積電PUUP8xH表面貼裝整流器的介紹、特性、及應用
臺積電PUUP8xH表面貼裝整流器的介紹、特性、及應用
　　臺積電PUUP8xH表面貼裝整流器具有低功耗、高效率的特點。這些整流器工作在8A正向電流和100V到200V重復電壓。PUUP8xH整流器采用平面技術(shù)設計，非常適合自動放置。這些表面安裝整流器符合RoHS標準，并符合AEC-Q101標準。其他應用包括高頻開關(guān)，DC/DC和緩沖器?！　√匦浴　EC-Q101合格　　平面技術(shù)　　功耗低，......
臺積電 PUUP... 表面貼裝...
2023-03-16
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臺積電PU6BCH & PU6DCH表面貼裝電阻器的介紹、特性、及應用
臺積電PU6BCH & PU6DCH表面貼裝電阻器的介紹、特性、及應用
　　臺積電PU6BCH和PU6DCH表面貼裝整流器為6A級超高速整流器，具有低功耗和高效率的特點。這些整流器采用平面技術(shù)設計，符合RoHS標準。表面安裝整流器是AEC合格的，是自動放置的理想選擇。其他應用包括高頻開關(guān)，DC/DC和緩沖器?！　√匦浴　EC-Q101合格　　平面技術(shù)　　功耗低，效率高　　非常適合自動放置　　濕度敏感等級:1......
PU6B... PU6D... 表面貼裝...
2023-03-16
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臺積電3納米進展報告：好于預期
臺積電3納米進展報告：好于預期
　　臺積電發(fā)誓要在 2022 年下半年啟動其 3 納米工藝節(jié)點，但于 12 月 29 日在其位于臺灣南部科學園區(qū) (STSP) 的擴建制造工廠為這個尖端制造節(jié)點剪彩，勉強實現(xiàn)了這一目標。在三星開始生產(chǎn)基于全能柵極 (GAA) 技術(shù)的 3 納米芯片近六個月后，臺積電基于久經(jīng)考驗的 FinFET 晶體管架構(gòu)，成功實現(xiàn)了從 5 納米到 3 ......
臺積電 3納米
2023-03-09
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臺積電TQL82x 200mA低損耗線性穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應用
臺積電TQL82x 200mA低損耗線性穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應用
　　臺積電TQL82x 200mA低損耗線性穩(wěn)壓器是一種高性能的低損耗線性穩(wěn)壓器，適用于3.3V或5V，輸入范圍為3V至50V，低靜止30μA。TQL82x提供2%的輸出電壓精度和200mA最大驅(qū)動電流，適用于汽車或其他供電系統(tǒng)。每個TQL82x需要一個1μF的小陶瓷電容，以表現(xiàn)出快速調(diào)節(jié)和良好的穩(wěn)定性。它還顯示非常低的退出電壓在100......
臺積電 TQL8... 線性穩(wěn)壓...
2023-02-23
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臺積電TQL85x 500mA低損耗線性穩(wěn)壓器的介紹、特性、及應用
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　　臺積電TQL85x 500mA低損耗線性穩(wěn)壓器是一種高性能的低損耗線性穩(wěn)壓器，適用于3.3V或5V，輸入范圍為3V至50V，低靜止40μA (TQL850)或30μA (TQL851)。TQL82x提供2%的輸出電壓精度和500mA最大驅(qū)動電流，適用于汽車或其他供電系統(tǒng)。TQL82x需要1μF的小陶瓷電容才能表現(xiàn)出快速的調(diào)節(jié)和良好......
臺積電 TQL8... 線性穩(wěn)壓...
2023-02-23
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Cadence助力GUC在臺積電N3 Tech上提供3.16GHz HPC核心設計
Cadence助力GUC在臺積電N3 Tech上提供3.16GHz HPC核心設...
　　　　使用Innovus實施，GUC在臺積電N3工藝技術(shù)上提供了3.16GHz HPC核心設計，并具有3.5M實例?！　lobal Unichip Corp.(GUC)使用Cadence Design Systems Inc.的數(shù)字解決方案成功交付了先進的HPC設計和CPU設計。HPC設計是在臺積電先進的N3工藝上使用Cadence......
Cade... 臺積電 GUC
2023-01-31
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SEMI臺灣通過新的評級服務加強整個芯片生態(tài)系統(tǒng)的網(wǎng)絡安全
SEMI臺灣通過新的評級服務加強整個芯片生態(tài)系統(tǒng)的網(wǎng)絡安全
SEMI臺灣通過新的評級服務加強整個芯片生態(tài)系統(tǒng)的網(wǎng)絡安全，這一舉措對于提升半導體產(chǎn)業(yè)的網(wǎng)絡安全防護能力具有重要意義。以下是該評級服務的詳細分析：評級服務背景：隨著半導體產(chǎn)業(yè)在全球范圍內(nèi)的重要性日益凸顯，網(wǎng)絡安全問題也愈發(fā)受到關(guān)注。為了加強半導體生態(tài)系統(tǒng)對網(wǎng)絡攻擊的防御能力，SEMI臺灣推出了半導體網(wǎng)絡安全風險評級服務。評級服務特點：五大......
SEMI 臺積電
2022-12-16
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全球十大代工廠總收入在2022年第三季度增長 6%
全球十大代工廠總收入在2022年第三季度增長 6%
全球十大代工廠在2022年第三季度總收入增長6%根據(jù)參考文章提供的信息，我們可以了解到，在2022年第三季度，全球排名前十的晶圓代工廠的產(chǎn)值達到了352.1億美元，環(huán)比增長幅度為6%。這一增長主要受到多個因素的影響，包括市場需求、客戶訂單、產(chǎn)能利用率以及個別廠商的特定貢獻。主要廠商表現(xiàn)：臺積電（TSMC）：以201.6億美元的營收領跑，環(huán)......
全球十大... 中芯國際 臺積電
2022-12-16
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臺積電在亞利桑那州擴建以專注于 3nm 節(jié)點
臺積電在亞利桑那州擴建以專注于 3nm 節(jié)點
臺積電在亞利桑那州的擴建計劃確實專注于3nm節(jié)點及更先進的制程技術(shù)。以下是關(guān)于該擴建計劃的詳細信息和關(guān)鍵點：擴建規(guī)模與投資：臺積電宣布在亞利桑那州投資超過650億美元進行擴建，這將包括建設第三座先進制程晶圓廠。這項投資基于美國商務部與臺積電之間達成的初步備忘錄，其中臺積電可能獲得美方最高66億美元的補貼，以及高達50億美元的政府貸款。制程......
臺積電 3nm 3納米
2022-11-18
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Cadence在臺積電N5推出22Gbps GDDR6 IP
Cadence在臺積電N5推出22Gbps GDDR6 IP
Cadence在臺積電（TSMC）N5工藝上推出的22Gbps GDDR6 IP是一項重要的技術(shù)突破，以下是關(guān)于此技術(shù)的一些關(guān)鍵信息和特點：性能提升：Cadence的GDDR6 IP在TSMC N5工藝上實現(xiàn)了22Gbps的數(shù)據(jù)速率，這一速度超越了該公司上一代的16Gbps設計，提高了37%的性能。高帶寬：GDDR6 IP的設計允許每個p......
Cade... 臺積電 GDDR...
2022-11-18
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由于前景黯淡，臺積電將擴張計劃減少至 USD36B
由于前景黯淡，臺積電將擴張計劃減少至 USD36B
關(guān)于臺積電（TSMC）將擴張計劃減少至USD36B的情況，可以從以下幾個方面進行清晰的分析和歸納：資本支出下調(diào)的背景：臺積電原本預計的資本支出計劃因全球經(jīng)濟狀況的持續(xù)壓力而進行了調(diào)整。據(jù)參考文章2所述，由于全球經(jīng)濟狀況持續(xù)帶來壓力，臺積電已將今年的資本支出計劃削減至320億至360億美元，低于去年的363億美元。具體數(shù)字與變化：原本預估的......
臺積電 7納米 6納米
2022-10-18
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深入了解臺積電的 3 納米節(jié)點和 FinFlex 技術(shù)
深入了解臺積電的 3 納米節(jié)點和 FinFlex 技術(shù)
臺積電的3納米節(jié)點和FinFlex技術(shù)是該公司在半導體制造領域的重要創(chuàng)新，以下是關(guān)于這兩項技術(shù)的詳細介紹：3納米節(jié)點技術(shù)背景：隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶體管尺寸的不斷縮小已成為提升芯片性能的關(guān)鍵。臺積電的3納米節(jié)點代表了當前半導體制造技術(shù)的最前沿。主要特點：相較于之前的5納米CMOS節(jié)點，臺積電的3納米節(jié)點在邏輯密度、速度和功率效率上均......
臺積電 3納米 FinF...
2022-08-24
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隨著前景黯淡，c削減擴張計劃
隨著前景黯淡，c削減擴張計劃
關(guān)于臺積電削減擴張計劃的情況，盡管當前半導體市場面臨一些挑戰(zhàn)和前景的不確定性，但根據(jù)我所掌握的信息，臺積電在近期并未公開宣布削減其擴張計劃。相反，從參考文章中可以提煉出以下關(guān)于臺積電擴張計劃的信息：新建工廠與產(chǎn)能提升：臺積電在2024年計劃新建七座工廠，包括5座晶圓廠和2座先進封裝廠。該公司預計2024年的3nm產(chǎn)能將達到去年的四倍，即同......
臺積電 TSMC
2022-07-19
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臺積電預計將于 2022 年末量產(chǎn) 3nm 芯片，早于第一批蘋果 M3 / A17 芯片
臺積電預計將于 2022 年末量產(chǎn) 3nm 芯片，早于第一批蘋果 M3 / A1...
臺積電預計將于2022年末量產(chǎn)3nm芯片，這一消息在多個來源中得到了確認。以下是對該問題的詳細解答：一、臺積電3nm芯片量產(chǎn)計劃1. 量產(chǎn)時間臺積電原計劃在2022年下半年大批量生產(chǎn)3nm芯片，并在2022年最后一周開始量產(chǎn)。這一時間點早于首批采用臺積電3nm工藝制造的蘋果M3和A17芯片的預期發(fā)布時間。2. 技術(shù)優(yōu)勢臺積電3nm節(jié)點相較......
M3芯片 A15芯... Mac系...
2021-12-27
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ASML下一代高精準度EUV光刻機售價將高達3億美元
ASML下一代高精準度EUV光刻機售價將高達3億美元
ASML（阿斯麥）下一代高精準度EUV（極紫外）光刻機的售價確實預計將達到一個相當高的水平，但具體售價可能會受到多種因素的影響，包括生產(chǎn)成本、市場需求、技術(shù)先進性以及市場競爭態(tài)勢等。根據(jù)公開發(fā)布的信息，ASML的下一代高精準度EUV光刻機，如EXE: 5000型號，其數(shù)值孔徑為0.55，可用于2nm節(jié)點以下芯片制造，如1.4nm、1nm等......
EUV光... 臺積電 制程節(jié)點
2021-12-24
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臺積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構(gòu)
臺積電羅鎮(zhèn)球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構(gòu)
臺積電羅鎮(zhèn)球在相關(guān)場合表示，臺積電計劃在未來推出兩項重要技術(shù)：5nm汽車電子平臺和2nm新晶體管架構(gòu)。以下是對這兩項技術(shù)的詳細解讀：一、5nm汽車電子平臺1. 推出時間根據(jù)羅鎮(zhèn)球的表述，臺積電計劃于“明年3月”推出5nm汽車電子工藝平臺。然而，這里的“明年”指的是消息發(fā)布時的下一年，即基于參考文章的發(fā)布時間（2021年），原計劃是在202......
晶體管 半導體 臺積電
2021-12-23
6
5nm 系列終極性能！臺積電發(fā)布 N4X 制程工藝技術(shù)：2023 年上半年風險生產(chǎn)
5nm 系列終極性能！臺積電發(fā)布 N4X 制程工藝技術(shù)：2023 年上半年風險生...
5nm 系列終極性能！臺積電發(fā)布 N4X 制程工藝技術(shù)：2023 年上半年風險生產(chǎn)臺積電發(fā)布的N4X制程工藝技術(shù)，作為5nm系列的終極性能代表，是專為高性能計算（HPC）產(chǎn)品的苛刻工作負載量身定制的。以下是關(guān)于N4X制程工藝技術(shù)的詳細介紹：一、技術(shù)背景與特點發(fā)布時間：臺積電在2021年12月16日正式宣布推出N4X制程工藝技術(shù)。技術(shù)定位：......
金屬電容... N4X制... 生態(tài)系統(tǒng)
2021-12-17
39
聯(lián)發(fā)科天璣 9000 5G 旗艦芯片發(fā)布：臺積電 4nm 制程、Armv9 架構(gòu)，手機將于明年一季度上市
聯(lián)發(fā)科天璣 9000 5G 旗艦芯片發(fā)布：臺積電 4nm 制程、Armv9 架構(gòu)...
聯(lián)發(fā)科天璣9000 5G旗艦芯片于2021年12月16日正式發(fā)布，這款芯片在多個方面均展現(xiàn)了其旗艦級別的性能與特點。以下是對天璣9000 5G旗艦芯片的詳細解析：一、制程與架構(gòu)制程：天璣9000率先采用臺積電4nm先進制程，這一制程的采用使得芯片在功耗控制和性能表現(xiàn)上達到了新的高度。架構(gòu)：CPU部分，天璣9000采用了面向未來十年的新一代......
圖像信號... 5G調(diào)制... Wi-F...
2021-12-17
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