原標(biāo)題：5nm 系列終極性能！臺(tái)積電發(fā)布 N4X 制程工藝技術(shù)：2023 年上半年風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)

臺(tái)積電發(fā)布的N4X制程工藝技術(shù)，作為5nm系列的終極性能代表，是專(zhuān)為高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品的苛刻工作負(fù)載量身定制的。以下是關(guān)于N4X制程工藝技術(shù)的詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)背景與特點(diǎn)

• 發(fā)布時(shí)間：臺(tái)積電在2021年12月16日正式宣布推出N4X制程工藝技術(shù)。

• 技術(shù)定位：N4X是臺(tái)積電首個(gè)以高性能計(jì)算（HPC）為重點(diǎn)的技術(shù)產(chǎn)品，標(biāo)志著臺(tái)積電在5nm系列中實(shí)現(xiàn)了終極性能和最高時(shí)鐘頻率?！癤”標(biāo)志是臺(tái)積電為HPC產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的特定技術(shù)保留的。

• 技術(shù)優(yōu)化：基于5nm量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)，臺(tái)積電進(jìn)一步增強(qiáng)了N4X的技術(shù)特性，包括針對(duì)高驅(qū)動(dòng)電流和最大頻率優(yōu)化的器件設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)，以及超高密度金屬-絕緣體-金屬電容器（metal-insulator-metal capacitors），這些功能使得N4X在極端性能負(fù)載下能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)健的電力傳輸。

二、性能提升

• 性能提升：N4X的效能相較于N5提升高達(dá)15%，或相較于速度更快的1.2伏N4P提升4%。此外，N4X驅(qū)動(dòng)電壓能夠達(dá)到超過(guò)1.2伏，并提供額外的性能。

• 設(shè)計(jì)靈活性：客戶(hù)可以利用N5工藝的通用設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)加速其N(xiāo)4X產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這有助于縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并提高設(shè)計(jì)效率。

三、生產(chǎn)與市場(chǎng)預(yù)期

• 生產(chǎn)時(shí)間：臺(tái)積電預(yù)計(jì)N4X將在2023年上半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一個(gè)重要階段，用于驗(yàn)證和優(yōu)化新工藝技術(shù)的穩(wěn)定性和可靠性。

• 市場(chǎng)前景：高性能計(jì)算是臺(tái)積電增長(zhǎng)最快的業(yè)務(wù)之一。隨著HPC領(lǐng)域需求的不斷攀升，N4X制程工藝技術(shù)的推出將進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電在高端芯片制造市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

四、生態(tài)系統(tǒng)支持

• 封裝技術(shù)：臺(tái)積電不僅為N4X技術(shù)提供性能優(yōu)化的芯片，還將其與3DFabric先進(jìn)封裝技術(shù)相結(jié)合，以提供最佳的高性能計(jì)算平臺(tái)。這種全面的生態(tài)系統(tǒng)支持有助于客戶(hù)更好地利用N4X技術(shù)，并加速其產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。

• 設(shè)計(jì)支持平臺(tái)：臺(tái)積電通過(guò)其開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴一起提供廣泛的設(shè)計(jì)支持平臺(tái)，為客戶(hù)提供最大的設(shè)計(jì)靈活性。

綜上所述，N4X制程工藝技術(shù)是臺(tái)積電在5nm系列中的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，專(zhuān)為高性能計(jì)算產(chǎn)品的苛刻工作負(fù)載而設(shè)計(jì)。其卓越的性能提升和靈活的生態(tài)系統(tǒng)支持將助力臺(tái)積電在高端芯片制造市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位。