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SiC MOSFET
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關(guān)損耗)的介紹、特性、及應(yīng)用
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關(guān)損耗)的介...
SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開關(guān)損耗，低結(jié)殼熱阻，非常堅(jiān)固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個(gè)開爾文參考穩(wěn)定運(yùn)行。所有部件都經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點(diǎn)是穩(wěn)健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結(jié)溫下，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)......
Semi... GCMX SiC ...
2024-03-28
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IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動(dòng)器(柵極驅(qū)動(dòng)器)的介紹、特性、及應(yīng)用
IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動(dòng)器(柵極驅(qū)動(dòng)...
IXYS IX4352NE 9A低側(cè)SiC MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器是柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅(qū)動(dòng)器具有獨(dú)立的9A源和接收輸出，允許定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，同時(shí)最大限度地減少開關(guān)損耗。內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器提供用戶可選擇的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置，以提高dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度......
IXYS ix43... 柵極驅(qū)動(dòng)...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
microcommercial Components (MCC) SICW028...
microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V柵源電壓下的導(dǎo)通電阻僅為28毫歐。該n溝道MOSFET與流行的D2PAK 4引腳配合良好，并包含開爾文源引腳，可降低開關(guān)損耗并顯著提高能效。這款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩堅(jiān)固性，能夠......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-28
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NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評(píng)估套件(GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器)的介紹、特性、及應(yīng)用
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評(píng)估套件...
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評(píng)估套件具有兩個(gè)GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。NXP FRDMGD3162RPEVM配備Freedom KL25Z微控制器硬件，可通過PC上的Flex GUI軟件與GD3162柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)備進(jìn)行通信。這種通信既可以發(fā)生在菊花鏈中，也可以發(fā)生......
GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
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MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介紹、特性、...
microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫歐超低導(dǎo)通電阻，有助于最大限度地減少傳導(dǎo)損耗并提高電源應(yīng)用中的能效。這種SiC MOSFET具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，可以在高結(jié)溫(高達(dá)+175°C)下工作，確保在惡劣和具有挑戰(zhàn)性的條件下可靠運(yùn)行。1700V的......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-25
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSF...
　　與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲(chǔ)能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗并提高效率?！　　　oolSiC G2 對(duì)硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)進(jìn)行了改進(jìn)。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MO...
　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET為快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并提供了一個(gè)低22毫歐漏源通電阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V柵驅(qū)動(dòng)時(shí)提供最佳性能，但在使用15V柵驅(qū)動(dòng)時(shí)也工作良好。該器件采用平面技術(shù)，工作可靠的負(fù)柵電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)閉柵上的尖峰?！　nsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
ONSE... nntb... SiC ...
2023-04-18
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及...
　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一個(gè)全橋和一個(gè)熱敏電阻的電源模塊。這些mosfet具有熱敏電阻和壓合銷。NXH0x0F120MNF1模塊提供預(yù)應(yīng)用熱接口材料(TIM)和不預(yù)應(yīng)用TIM選項(xiàng)。這些模塊理想地用于太陽能逆變器，不間斷電源，電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)電源。NXH0x0F120MNF1......
ONSE... NXH0... SiC ...
2023-04-12
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如何將第三代SiC MOSFET應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效
如何將第三代SiC MOSFET應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效
將第三代碳化硅（SiC）MOSFET應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)是提高性能和能效的重要方法之一。在本文中，我將詳細(xì)介紹SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及品牌型號(hào)，并探討如何在電源設(shè)計(jì)中充分利用這些優(yōu)勢(shì)。1. SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)一、低導(dǎo)通電阻：SiC MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻，能夠降低導(dǎo)通損耗，提高電源的效率。二、高開關(guān)速度：SiC ......
第三代S... 電源設(shè)計(jì) SiC ...
2022-11-11
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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器的介紹、特性、及應(yīng)用
ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器...
ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器是一款專為碳化硅（SiC）MOSFET設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器。以下是對(duì)其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)解析：介紹ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器是一款高度集成和靈活的柵極驅(qū)動(dòng)器，它具備與市場(chǎng)上任何SiC MOSFET完全兼容的......
ON S... NCx5... MOSF...
2022-10-31
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集成三相 SiC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)電路的液冷或風(fēng)冷功率模塊
集成三相 SiC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)電路的液冷或風(fēng)冷功率模塊
集成三相SiC MOSFET和驅(qū)動(dòng)電路的液冷或風(fēng)冷功率模塊，是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中不可或缺的一部分，特別是在需要高性能、高效率和高可靠性的應(yīng)用中。以下是對(duì)這兩種功率模塊的詳細(xì)解釋：SiC MOSFET概述優(yōu)勢(shì)：SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，具有低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、高開關(guān)速度和高溫度穩(wěn)定性等特點(diǎn)。這使得SiC MOSFET......
風(fēng)冷功率...
2022-05-18
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IXYS LSIC1MO170E0750 n通道SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
IXYS LSIC1MO170E0750 n通道SiC MOSFET的介紹、特性...
IXYS LSIC1MO170E0750是一款n通道碳化硅（SiC）MOSFET，以下是對(duì)其詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用的歸納：一、產(chǎn)品介紹IXYS LSIC1MO170E0750是一款針對(duì)高頻、高效率應(yīng)用優(yōu)化的1700V碳化硅MOSFET。它結(jié)合了碳化硅材料的優(yōu)異特性，如高飽和電子漂移速度、高電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度、低介電常數(shù)和高熱導(dǎo)率，為高壓、高頻功率......
IXYS LSIC... SiC ...
2022-04-14
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onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動(dòng)汽車（EV）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的效率而設(shè)計(jì)。該系列產(chǎn)品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優(yōu)勢(shì)，還針對(duì)特定應(yīng)用進(jìn)......
SiC ... ONSE... 碳化硅
2022-03-28
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
一、派恩杰SiC MOSFET批量“上車”背景與趨勢(shì)自2018年特斯拉Model 3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。SiC MOSFET因其材料優(yōu)勢(shì)（如高溫性能好、功率密度大等），正逐步成為新能源汽車電力電子系統(tǒng)的核心組件。派恩杰的突破派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司作......
碳化硅二... 逆變器 MOSF...
2021-12-09
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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？
SiC MOSFET替代Si MOSFET時(shí)，在只有單電源正電壓的情況下實(shí)現(xiàn)負(fù)壓，可以通過在驅(qū)動(dòng)回路中增加少量元件來產(chǎn)生所需的負(fù)壓。以下是一些具體的實(shí)現(xiàn)方案：方案一元件選擇：使用一個(gè)稍高于所需正壓（如+18V）的單電源。選擇一個(gè)穩(wěn)壓管（如Z1）和一個(gè)二極管（如Z2），其中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓加上二極管的導(dǎo)通壓降應(yīng)等于所需的正壓（如+15V）。......
電力電子... 穩(wěn)壓管 電源正負(fù)...
2021-12-08
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低...
關(guān)于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國產(chǎn)器件在重載時(shí)溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)分析：一、測(cè)試背景與目的650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等領(lǐng)域。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長（據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)......
電池充放... MOSF... P3M0...
2021-10-20
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如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計(jì)以提高電動(dòng)汽車牽引逆變器的效率
如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計(jì)以提高電動(dòng)汽車牽引逆變器的效率
將SiC MOSFET導(dǎo)入電動(dòng)汽車牽引逆變器的設(shè)計(jì)以提高效率，可以通過以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素來實(shí)現(xiàn)：一、選擇合適的SiC MOSFET額定電壓和電流：根據(jù)電動(dòng)汽車牽引逆變器的需求，選擇合適的額定電壓和電流的SiC MOSFET。例如，對(duì)于800V電池系統(tǒng)的車輛，需要選擇額定電壓為900至1200伏的SiC MOSFET。開關(guān)性能：Si......
SiC ... 電動(dòng)汽車 牽引逆變...
2021-09-27
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功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析
在功率轉(zhuǎn)換器中，CoolSiC? MOSFET技術(shù)是一項(xiàng)重要的創(chuàng)新，它基于碳化硅（SiC）這一寬禁帶半導(dǎo)體材料，為電力電子領(lǐng)域帶來了顯著的性能提升。以下是對(duì)CoolSiC? MOSFET技術(shù)的詳細(xì)解析：一、技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)1. 材料特性SiC材料的帶隙寬度約為硅的3倍，這使得其臨界場(chǎng)強(qiáng)約是硅的10倍。因此，SiC器件能夠在更高的電壓下工作，......
功率轉(zhuǎn)換... 低導(dǎo)通電... 集成二極...
2021-09-22
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安森美半導(dǎo)體NTHL080N120SC1A n通道SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
安森美半導(dǎo)體NTHL080N120SC1A n通道SiC MOSFET的介紹、特...
安森美半導(dǎo)體NTHL080N120SC1A是一款n通道碳化硅（SiC）MOSFET，該產(chǎn)品以其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域在半導(dǎo)體行業(yè)中備受關(guān)注。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用領(lǐng)域的分析：一、產(chǎn)品介紹NTHL080N120SC1A是安森美半導(dǎo)體推出的一款高性能SiC MOSFET，專為高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì)而打造。該......
安森美半... NTHL... n通道S...
2021-08-18
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英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET...
英飛凌推出的采用高性能AIN（氮化鋁）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，在提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)方面發(fā)揮了重要作用。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)升級(jí)材料：英飛凌將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN）陶瓷，這種材料具有出色的熱導(dǎo)性能，有助于提升模塊......
太陽能系... 導(dǎo)通電阻 散熱器
2021-08-10
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