原標(biāo)題：650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低

關(guān)于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件在重載時(shí)溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)分析：

一、測試背景與目的

650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于光伏和儲能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等領(lǐng)域。隨著電動(dòng)汽車市場的快速增長（據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%），對SiC MOSFET的需求也在不斷增加。為了驗(yàn)證國產(chǎn)SiC MOSFET在高溫重載條件下的性能表現(xiàn)，國內(nèi)廠商如派恩杰半導(dǎo)體等進(jìn)行了相關(guān)的高溫性能測試對比。

二、測試平臺與方法

派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測試平臺對650V 60mΩ SiC MOSFET進(jìn)行了高溫性能對比測試。該測試平臺用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的開環(huán)功率實(shí)驗(yàn)、器件系統(tǒng)效率和溫升性能測試、雙脈沖測試以及電池充放電系統(tǒng)。測試平臺最大輸入電壓可達(dá)800Vdc，輸出400Vdc，可工作在Buck模式或者Boost模式。

三、測試結(jié)果分析

在測試中，派恩杰半導(dǎo)體選擇了其650V 60mΩ產(chǎn)品P3M06060K4與某國際知名品牌（C品牌）的4pin 650V 60mΩ SiC MOSFET進(jìn)行對比。測試結(jié)果顯示，在高溫重載條件下，國產(chǎn)P3M06060K4器件表現(xiàn)出更優(yōu)的性能：

1. 溫度表現(xiàn)：

• 在100kHz條件下，當(dāng)輸出功率達(dá)到4kW時(shí)，P3M06060K4器件的溫度為86℃，而C品牌器件的溫度為96℃。隨著功率的增加，P3M06060K4器件在更高功率（如4.7kW）下才達(dá)到100℃的溫度，而C品牌器件的溫度始終保持在96℃左右。

• 在65kHz條件下，類似的結(jié)果也被觀察到。在4.3kW時(shí)，P3M06060K4器件的溫度為80℃，而C品牌器件的溫度達(dá)到102℃。當(dāng)功率增加到5kW時(shí)，P3M06060K4器件的溫度才接近100℃。

2. 效率表現(xiàn)：

• 在輕載時(shí)，兩款器件的效率基本一致，均達(dá)到99%。但在重載時(shí)，P3M06060K4器件的效率更高。

四、原因分析

P3M06060K4器件在高溫重載條件下表現(xiàn)出更優(yōu)的性能，主要得益于其較低的導(dǎo)通電阻（Rdson）隨溫度變化的特性。在高溫下，P3M06060K4器件的導(dǎo)通損耗更小，從而減少了熱量的產(chǎn)生和溫度的上升。

五、結(jié)論

綜上所述，國產(chǎn)650V 60mΩ SiC MOSFET在高溫重載條件下表現(xiàn)出更低的溫度和更高的效率，這證明了國產(chǎn)SiC MOSFET在性能上已經(jīng)達(dá)到甚至超過了國際一流水平。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的擴(kuò)大，國產(chǎn)SiC MOSFET有望在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。