原標(biāo)題：onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用

一、介紹

onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動汽車（EV）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的效率而設(shè)計。該系列產(chǎn)品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優(yōu)勢，還針對特定應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，以滿足市場對更高性能和更低系統(tǒng)成本的需求。

二、特性

1. 高效能：

• M3S 1200V碳化硅MOSFET具有較低的開關(guān)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率，減少散熱需求，并允許更高的開關(guān)頻率。

• 優(yōu)化的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和更低的QG（電荷量），進(jìn)一步降低了開關(guān)過程中的能量損失。

2. 高功率密度：

• 通過縮小無源元件尺寸，M3S系列能夠在保持高性能的同時，減小系統(tǒng)體積和重量，提高功率密度。

3. 多樣化設(shè)計：

• M3S系列提供了兩種核心技術(shù)：T設(shè)計和S設(shè)計。T設(shè)計主要針對逆變器應(yīng)用，具有更低的RDS(ON)和更好的短路能力；S設(shè)計則針對高開關(guān)性能進(jìn)行了優(yōu)化，具有較低的QG和較高的di/dt、dv/dt，從而進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。

1. 工業(yè)級與車規(guī)級產(chǎn)品：

• 產(chǎn)品線覆蓋多種封裝和電阻值，包括TO247?3L/4L和D2PAK?7L分立封裝，滿足不同應(yīng)用場景的需求。同時，產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級應(yīng)用。

2. 溫度穩(wěn)定性：

• RDS(ON)的溫度系數(shù)特性使得M3S系列在高溫下仍能保持較低的導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性和可靠性。

三、應(yīng)用

1. 電動汽車（EV）：

• M3S 1200V碳化硅MOSFET適用于電動汽車的車載充電器（OBC）和直流快充系統(tǒng)，能夠顯著提高充電效率和功率密度，縮短充電時間。

2. 能源基礎(chǔ)設(shè)施：

• 在太陽能、儲能系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）等能源基礎(chǔ)設(shè)施中，M3S系列能夠提升系統(tǒng)效率，降低能耗和運營成本。

3. 工業(yè)電源系統(tǒng)：

• 適用于DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉(zhuǎn)換階段，提供高集成度和優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計，實現(xiàn)并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。

總結(jié)

onsemi M3S 1200V碳化硅MOSFET以其高效能、高功率密度、多樣化設(shè)計和溫度穩(wěn)定性等特性，在電動汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。通過優(yōu)化設(shè)計和技術(shù)創(chuàng)新，該產(chǎn)品為電力電子工程師提供了更出色的能效和更低系統(tǒng)成本的解決方案。