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碳化硅
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碳化硅用途
碳化硅用途
碳化硅用途碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）是一種重要的無機材料，具有廣泛的用途和應(yīng)用領(lǐng)域。它是由硅和碳元素組成的化合物，具有許多優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，使得它在各種工業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。以下是碳化硅的一些主要用途：半導(dǎo)體行業(yè)： 碳化硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，其物理特性使其在電子器件中表現(xiàn)出色。與傳統(tǒng)的硅材料相......
碳化硅
2024-05-23
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什么是碳化硅二極管呢
什么是碳化硅二極管呢
碳化硅二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD），是以碳化硅（SiC）為原材料制作的二極管。這種二極管具有許多顯著的特點和優(yōu)勢，例如低損耗、高抗壓、高效率、高溫穩(wěn)定性好等。碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時間，且溫度對電源開關(guān)行為的影響較小，其規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃。與硅元器件相比，碳化硅二極管可以大幅度降低開......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管有哪些應(yīng)用場景呢
碳化硅二極管有哪些應(yīng)用場景呢
碳化硅二極管因其獨特的性能特點，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用場景。以下是一些主要的應(yīng)用場景：太陽能逆變器：碳化硅二極管在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。其高速切換、低損耗的特性可以提高太陽能逆變器的效率，從而提高整個太陽能發(fā)電系統(tǒng)的性能。新能源汽車充電器：碳化硅二極管在汽車領(lǐng)域，特別是在新能源汽車充電器中的應(yīng)用也非常廣泛。它可以滿足高電壓、高......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管的功率器件有哪些優(yōu)勢或劣勢嗎
碳化硅二極管的功率器件有哪些優(yōu)勢或劣勢嗎
碳化硅二極管的功率器件具有一系列的優(yōu)勢，但同時也存在一些劣勢。優(yōu)勢：高溫可靠性：碳化硅材料具有寬禁帶和高本征溫度，使得碳化硅二極管能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這使得碳化硅二極管特別適用于高溫工作環(huán)境，如汽車發(fā)動機艙、工業(yè)爐等。高效率：碳化硅二極管具有低電容電荷和低順向電壓，這有助于降低切換損耗，提高系統(tǒng)的效率。特別是在高頻應(yīng)用中，碳化......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管的功率器件和硅二極管有什么區(qū)別
碳化硅二極管的功率器件和硅二極管有什么區(qū)別
碳化硅二極管與硅二極管在功率器件的應(yīng)用中存在顯著的區(qū)別，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性：碳化硅二極管采用碳化硅材料，這種材料具有高硬度、高熱導(dǎo)率、高熔點、寬禁帶和高臨界擊穿場強等優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)。這使得碳化硅二極管在高溫、高頻、高功率應(yīng)用中具有更好的性能。而硅二極管則主要基于硅材料，雖然硅材料也具有良好的半導(dǎo)體特性，但在高溫和高頻應(yīng)......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管和硅二極管哪個更適合大功率場合
碳化硅二極管和硅二極管哪個更適合大功率場合
碳化硅二極管更適合大功率場合。碳化硅二極管具有更高的電流和電壓承受能力，這使其在處理大功率信號或電能時表現(xiàn)出色。此外，碳化硅二極管還具有以下優(yōu)勢：低導(dǎo)通壓降：這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，碳化硅二極管的能量損耗較小，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率。高溫性能：碳化硅二極管的導(dǎo)電特性不受溫度影響，可以在高溫環(huán)境下工作，其工作溫度高達600攝氏度以上。這使得碳......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管和硅二極管哪個更耐用
碳化硅二極管和硅二極管哪個更耐用
碳化硅二極管和硅二極管在耐用性方面各有優(yōu)勢，但碳化硅二極管在某些方面表現(xiàn)出更高的耐用性。碳化硅二極管以其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高熔點、寬禁帶、高臨界擊穿場強等，展現(xiàn)出在高溫、高頻、高功率應(yīng)用中的優(yōu)勢。其高溫穩(wěn)定性使得碳化硅二極管能夠在極端溫度下正常工作，而且其結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定，能夠承受更高的電壓和電流。此外，碳化硅二極管的......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管和硅二極管有什么區(qū)別
碳化硅二極管和硅二極管有什么區(qū)別
碳化硅二極管和硅二極管在多個方面存在顯著的差異，主要如下：材料與性能：碳化硅二極管以碳化硅為原料，具有低損耗、高抗壓、效率高的特點。它的高頻率高溫性能優(yōu)異，是同樣硅元器件抗壓的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。而硅二極管以硅為主要原材料，電壓穩(wěn)定性好，通常可達到幾百伏的電壓，在反向電壓下的穩(wěn)定性好。同時，硅二極管的導(dǎo)通電阻小，一般只有幾個歐姆......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管的缺點是什么？
碳化硅二極管的缺點是什么？
碳化硅二極管雖然具有許多優(yōu)點，如高速開關(guān)、耐高溫、低能耗等，但也有一些缺點。以下是一些主要的缺點：成本較高：與傳統(tǒng)的硅材料相比，碳化硅材料的制備和加工技術(shù)較為復(fù)雜，導(dǎo)致碳化硅二極管的制造成本較高。這限制了其在大規(guī)模生產(chǎn)中的應(yīng)用。加工工藝復(fù)雜：由于碳化硅材料的特殊性，其加工工藝相對復(fù)雜，需要進一步的研究和優(yōu)化。這可能導(dǎo)致碳化硅二極管的良品率......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管的用途是什么？
碳化硅二極管的用途是什么？
碳化硅二極管因其獨特的性能特點，在許多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。首先，碳化硅二極管可用于電力、電子、航空航天、汽車和軍事等領(lǐng)域。在電力領(lǐng)域，它可以用于電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力濾波器等。在電子領(lǐng)域，它可用于電路保護、電源穩(wěn)壓、電源濾波等。在航空航天領(lǐng)域，碳化硅二極管因其耐高溫特性，被廣泛應(yīng)用于高溫應(yīng)用，如航空航天領(lǐng)域中的電力轉(zhuǎn)換器。在軍事領(lǐng)......
碳化硅二...
2024-05-07
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碳化硅二極管型號
碳化硅二極管型號
化硅二極管是一種具有優(yōu)良性能的半導(dǎo)體器件，其型號多種多樣，以下列舉幾個常見的型號及其特點：1N4148C：這是一種常見的碳化硅二極管型號，具有快速恢復(fù)特性，開關(guān)速度快，適用于高頻應(yīng)用。同時，它還具有優(yōu)良的高溫特性，可以在較高溫度下正常工作，適用于高溫環(huán)境。此外，1N4148C的尺寸小巧，漏電流低，承受電壓高，使其適用于緊湊的電路板設(shè)計和低......
碳化硅二...
2024-05-06
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碳化硅功率器件的有那些
碳化硅功率器件的有那些
碳化硅功率器件的有那些碳化硅（SiC）功率器件是一類高性能功率半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)點，如高溫特性、高頻特性、高功率密度和低開關(guān)損耗等。以下是一些常見的碳化硅功率器件：碳化硅場效應(yīng)管（SiC FET）：碳化硅場效應(yīng)管是一種常見的功率開關(guān)器件，可用于高頻開關(guān)電源和逆變器應(yīng)用。它們具有快速的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)......
碳化硅功... 功率器件
2024-04-24
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、...
英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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碳化硅功率器件:特性、測試和應(yīng)用技術(shù)
碳化硅功率器件:特性、測試和應(yīng)用技術(shù)
碳化硅功率器件:特性、測試和應(yīng)用技術(shù)碳化硅（SiC）功率器件是一類廣泛應(yīng)用于電力電子、汽車電動化、光伏逆變器等領(lǐng)域的先進半導(dǎo)體器件。它們的特性、測試和應(yīng)用技術(shù)如下：特性：高溫特性：SiC器件能夠在高溫環(huán)境下工作，具有更高的熱穩(wěn)定性和耐受性。高頻特性：SiC器件具有較高的開關(guān)頻率和更低的開關(guān)損耗，適用于高頻應(yīng)用。低導(dǎo)通損耗：相較于傳統(tǒng)硅器件......
碳化硅功...
2024-04-07
39
碳化硅功率器件與igbt的不同
碳化硅功率器件與igbt的不同
碳化硅功率器件與igbt的不同碳化硅（SiC）功率器件和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件，它們在功率電子領(lǐng)域有著不同的特點和應(yīng)用。以下是它們之間的一些主要區(qū)別：材料：碳化硅（SiC）器件：SiC器件采用碳化硅作為半導(dǎo)體材料。碳化硅在高溫和高電壓下表現(xiàn)出色良好的電特性，包括較高的擊穿場強、熱導(dǎo)率和穩(wěn)定性。IGBT器件：......
碳化硅功... IGBT
2024-04-07
52
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二極管的介紹、特性、及應(yīng)...
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅(SiC)肖特基二極管與硅相比具有卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。NDSH40120C-F155具有無反向恢復(fù)電流、不依賴溫度的開關(guān)特性和優(yōu)異的熱性能。這種EliteSiC二極管提供了一個正的溫度系數(shù)和易于并聯(lián)。系統(tǒng)的優(yōu)點包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低、系統(tǒng)尺寸小、成本低。應(yīng)用......
ONSE... NDSH... 肖特基二...
2024-03-07
11
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用...
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
ONSE... NVHL... 碳化硅M...
2024-03-04
13
onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
ONSE... nvh0... 碳化硅M...
2024-02-28
3
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)場效應(yīng)管的介紹、特...
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于獨特的“級聯(lián)編碼”電路配置的1200V, 23毫歐器件。在這種配置中，一個常開的SiC JFET與一個Si MOSFET一起封裝，產(chǎn)生一個常關(guān)的SiC FET器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換Si igbt, Si超級結(jié)器件或SiC......
Qorv... UF4S... G4碳化...
2024-01-24
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