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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于獨(dú)特的“級聯(lián)編碼”電路配置的1200V, 23毫歐器件。在這種配置中，一個常開的SiC JFET與一個Si MOSFET一起封裝，產(chǎn)生一個常關(guān)的SiC FET器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換Si igbt, Si超級結(jié)器件或SiC mosfet時需要最小的重新設(shè)計。這些器件采用節(jié)省空間的D2PAK-7L封裝(實(shí)現(xiàn)自動化組裝)，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復(fù)特性。Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC fet是切換感性負(fù)載和需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用的理想選擇。
特性
23mW典型導(dǎo)通電阻
+175°C最高工作溫度
卓越的243nC反向恢復(fù)
低1.2V體二極管
低37.8nC柵極電荷
4.8V典型閾值電壓允許0V到15V驅(qū)動
低固有電容
HBM 2級和CDM C3級ESD保護(hù)
D(2)PAK-7L封裝，用于更快的開關(guān)，干凈的柵極波形
無鉛，無鹵，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
電動汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)電源
功率因數(shù)校正模塊
感應(yīng)加熱
示意圖
責(zé)任編輯：David
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