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碳化硅MOSFET
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......
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2024-03-04
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......
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2024-02-28
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......
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2024-02-28
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onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅MOSFET模塊
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onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅（SiC）MOSFET模塊是一款高性能的電力電子器件，以下是對其的詳細介紹：主要組成：該模塊包含一個雙升壓級，由兩個40mΩ/1200V SiC MOSFET和兩個40A/1200V SiC二極管組成。另外，它還包含兩個額外的50A/1200V旁路整流器，用于浪涌電流限制。特性與優(yōu)勢：低傳導(dǎo)......
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2022-07-15
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onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動汽車（EV）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的效率而設(shè)計。該系列產(chǎn)品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優(yōu)勢，還針對特定應(yīng)用進......
SiC ... ONSE... 碳化硅
2022-03-28
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意法半導(dǎo)體正式推出第三代STPOWER碳化硅MOSFET
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意法半導(dǎo)體正式推出的第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET，是電力電子領(lǐng)域的一項重要技術(shù)突破，尤其在電動汽車和工業(yè)市場應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。以下是對該產(chǎn)品的詳細分析：一、產(chǎn)品背景與優(yōu)勢1. 產(chǎn)品背景意法半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，一直致力于推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級。第三代STPOWER碳化硅MOSFET的推出，是其對高壓、高功......
可再生能... 儲能系統(tǒng) 汽車動力...
2021-12-16
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Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動器
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Microchip與Mersen合作推出的SiC（碳化硅）電源協(xié)議棧參考設(shè)計，確實涉及Microchip為Mersen提供碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和數(shù)字柵極驅(qū)動器的支持。以下是對此合作的詳細解析：一、合作背景與目的背景：電動汽車、商業(yè)運輸、可再生能源和存儲系統(tǒng)設(shè)計人員需要提高性能和成本效率的電源管理解決方案。碳化......
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2021-12-10
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)...
Microchip推出的首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。這款柵極驅(qū)動器憑借其顯著的性能優(yōu)勢，不僅大幅降低了開關(guān)損耗，還加快了產(chǎn)品的上市時間，并已正式投入生產(chǎn)。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：產(chǎn)品特點完全可配置性：Microchip的這款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器具有高度的可配置性，允許系統(tǒng)設(shè)......
太陽能逆... 儲能系統(tǒng) 模塊適配...
2021-09-24
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