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英飛凌
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英飛凌IRF4905STRLPBF MOS管中文資料
英飛凌IRF4905STRLPBF MOS管中文資料
英飛凌IRF4905STRLPBF MOS管中文資料1. 型號(hào)和類型IRF4905STRLPBF 是英飛凌公司生產(chǎn)的功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。它屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET，主要用于低壓、高電流的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。此型號(hào)采......
英飛凌 IRF4... MOS管
2024-07-12
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英飛凌IR2184PBF MOSFET驅(qū)動(dòng)器中文資料
英飛凌IR2184PBF MOSFET驅(qū)動(dòng)器中文資料
英飛凌 IR2184PBF MOSFET 驅(qū)動(dòng)器1. 型號(hào)與類型英飛凌（Infineon Technologies AG）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，IR2184PBF 是其生產(chǎn)的高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)器之一。IR2184PBF 是一款高壓、雙通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，主要用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET。該型號(hào)的主要應(yīng)用包括DC-DC......
英飛凌 IR21... MOSF...
2024-07-05
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英飛凌IRLML6401TRPBF MOS管中文資料
英飛凌IRLML6401TRPBF MOS管中文資料
英飛凌IRLML6401TRPBF MOS管詳細(xì)資料英飛凌IRLML6401TRPBF是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，具體型號(hào)IRLML6401TRPBF中的每個(gè)部分都有其特定的含義：IRL：表示其屬于英飛凌生產(chǎn)的低壓MOSFET系列；......
英飛凌 IRLM... MOS管
2024-06-25
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英飛凌IRF640NPBF MOS管中文資料
英飛凌IRF640NPBF MOS管中文資料
英飛凌IRF640NPBF MOS管一、型號(hào)類型IRF640NPBF是由英飛凌公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。這種類型的MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度，適用于各種電源管理應(yīng)用。它采用TO-220封裝，適合通過(guò)焊接或散熱器安裝。廠商名稱：英飛凌元件分類：MOS管中文描述： 英飛凌Infineon MOSFET,HEXFE......
英飛凌 IRF6... MOS管
2024-06-24
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英飛凌IRFZ24NPBF MOS管中文資料
英飛凌IRFZ24NPBF MOS管中文資料
英飛凌（Infineon）IRFZ24NPBF MOS管詳細(xì)資料1. 型號(hào)類型及基本介紹英飛凌（Infineon）IRFZ24NPBF是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它被廣泛應(yīng)用于各種電源控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，因其高性能和可靠性而聞名于世。廠商名稱：英飛凌IRFZ24NPBF圖片元件分類：MOS管中文描述： MOSFET......
英飛凌 IRFZ... MOS管
2024-06-20
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英飛凌IRF4905PBF MOS管中文資料
英飛凌IRF4905PBF MOS管中文資料
英飛凌IRF4905PBF MOS管中文資料一、型號(hào)類型英飛凌（Infineon）IRF4905PBF是屬于P溝道增強(qiáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），這類器件廣泛用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路以及其他需要高效能和低損耗的電路中。IRF4905PBF具體是一個(gè)P溝道功率MOSFET，標(biāo)志著其適用于高側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，即在電源路徑的高電壓端進(jìn)行......
英飛凌 IRF4... MOS管
2024-06-20
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、...
英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運(yùn)行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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英飛凌OPTIGA TPM SLB 9673 FW26的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌OPTIGA TPM SLB 9673 FW26的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌OPTIGA TPM SLB 9673 FW26。xx是最先進(jìn)的安全解決方案，具有I2C接口，為網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備、工業(yè)機(jī)器和物聯(lián)網(wǎng)提供強(qiáng)大的識(shí)別和認(rèn)證。它通過(guò)pqc保護(hù)的固件更新、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的唯一標(biāo)識(shí)號(hào)以及AES批量加密等增強(qiáng)的安全功能，確保數(shù)據(jù)完整性、機(jī)密性和面向未來(lái)的可靠性。它提供兩個(gè)溫度范圍，為制造商提供靈活性，并附帶易于集成......
英飛凌 OPTI... SLB ...
2024-04-18
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實(shí)現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中轉(zhuǎn)化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用提供了優(yōu)勢(shì)，如光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動(dòng)汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產(chǎn)品減少了......
英飛凌 Cool...
2024-04-18
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英飛凌科技TRAVEO T2G車身入口壽命評(píng)估套件的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌科技TRAVEO T2G車身入口壽命評(píng)估套件的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌科技TRAVEO T2G車身入口壽命評(píng)估套件可使用TRAVEO T2G車身入口MCU對(duì)客戶應(yīng)用進(jìn)行評(píng)估和開(kāi)發(fā)。這種低成本的套件提供了更高的系統(tǒng)效率和可靠的高默認(rèn)輸出狀態(tài)。該套件確保了對(duì)系統(tǒng)噪聲的高保護(hù)，并允許在項(xiàng)目中輕松更換設(shè)備。特性Arduino-compatible連接器兩個(gè)Shield2Go連接器mikroBUS 連接器用于全......
英飛凌科... TRAV...
2024-04-03
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英飛凌 BLE產(chǎn)品(AIROC CYW20829B0-P4TAI100和CYW20822-P4TAI040 BLE模塊)的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌 BLE產(chǎn)品(AIROC CYW20829B0-P4TAI100和CYW2...
英飛凌的BLE產(chǎn)品組合包括經(jīng)AIROC CYW20829B0-P4TAI100和CYW20822-P4TAI040認(rèn)證的BLE模塊，為用戶應(yīng)用提供極其可靠和超高性能的連接解決方案。通過(guò)將這些經(jīng)過(guò)認(rèn)證的模塊焊接到主PCB上，可以更快，更輕松地設(shè)計(jì)工業(yè)，智能家居，醫(yī)療保健，游戲和物聯(lián)網(wǎng)，并優(yōu)化成本。CYW20829B0-P4TAI100是一款......
英飛凌 BLE模...
2024-04-03
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Murata LBEE5XV2EA-802 Type 2EA Wi-Fi+ BLUETOOTH模塊(英飛凌CYW55573組合芯片組)的介紹、特性、及應(yīng)用
Murata LBEE5XV2EA-802 Type 2EA Wi-Fi+ BL...
村田L(fēng)BEE5XV2EA-802 Type 2EA Wi-Fi + BLUETOOTH 模塊基于英飛凌CYW55573組合芯片組，具有高性能Wi-Fi和BLUETOOTH 5.3功能。村田L(fēng)BEE5XV2EA-802在Wi-Fi上的數(shù)據(jù)速率高達(dá)1.2Gbps，在傳統(tǒng)藍(lán)牙(EDR)上的數(shù)據(jù)速率高達(dá)3Mbps。在IEEE 802.11ax模式......
mura... LBEE... BLUE...
2024-03-21
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSF...
　　與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲(chǔ)能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 對(duì)硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)進(jìn)行了改進(jìn)。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應(yīng)用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時(shí)的額定電壓為1200V，在+100°C時(shí)的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時(shí)的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開(kāi)關(guān)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的工作。mosfet專為過(guò)載條......
英飛凌 Cool... G2 m...
2024-03-05
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英飛凌科技AIROC CYW20829 BLUETOOTH LE 5.4 MCU的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌科技AIROC CYW20829 BLUETOOTH LE 5.4 MCU...
英飛凌AIROC CYW20829 BLUETOOTH LE 5.4 MCU是一款高性能、超低功耗、“安全”MCU + BLUETOOTH LE平臺(tái)，專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而打造。CYW20829結(jié)合了高性能微控制器與藍(lán)牙LE(5.4)連接，高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換音頻輸入，I(2)S/PCM, CAN, LIN(用于汽車用例)以及其他標(biāo)準(zhǔn)通信和定時(shí)外設(shè)。......
英飛凌科... CYW2... Blue...
2024-03-05
2
英飛凌CoolSiC汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet雙向車載充電器的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet雙向車載充電器的...
英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動(dòng)汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術(shù)。XT模具貼附技術(shù)，在同等尺寸的模具上實(shí)現(xiàn)最佳的熱阻抗。CoolSiC 750V G1技術(shù)提供非常高的魯......
英飛凌 Cool... 車載充電...
2024-01-25
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英飛凌XHP 2&3 IGBT模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌XHP 2&3 IGBT模塊的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌XHP 2和3 IGBT模塊專為1.7kV至6.5kV的大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌模塊是牽引、CAV和中壓驅(qū)動(dòng)等苛刻應(yīng)用的理想選擇。這些器件提供可擴(kuò)展的設(shè)計(jì)、一流的可靠性和最高的功率密度?？稍趦蓚€(gè)外殼，XHP 2和XHP 3，兩者共享尺寸140mm長(zhǎng)，100mm寬，和40mm高。這使得產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員能夠在各種電流和電壓額定值之間創(chuàng)建一致......
英飛凌 IGBT...
2024-01-22
14
英飛凌科技PROFET線護(hù)12V汽車智能開(kāi)關(guān)的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌科技PROFET線護(hù)12V汽車智能開(kāi)關(guān)的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌科技PROFET Wire Guard 12V汽車智能開(kāi)關(guān)結(jié)合了I2t導(dǎo)線保護(hù)和低功耗IDLE模式。英飛凌開(kāi)關(guān)具有可調(diào)過(guò)流保護(hù)功能，可用于現(xiàn)代配電中高效的汽車電線保護(hù)。該英飛凌eFuse解決方案具有順序診斷功能，可確?？煽康碾娫矗⒎蟟so26262標(biāo)準(zhǔn)，適用于與功能安全相關(guān)的應(yīng)用。特性在SOA內(nèi)充電7 .靜態(tài)動(dòng)態(tài)診斷參數(shù)可調(diào)過(guò)流......
英飛凌科... PROF... 汽車智能...
2024-01-22
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英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet的介紹、特性、...
英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒狀產(chǎn)品組合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封裝的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范圍為8.7毫歐至160毫歐， ID為+25°C，最大17A至205A。高功率......
英飛凌 Cool... MOSF...
2024-01-22
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英飛凌科技EiceDRIVER 1EDI3050AS評(píng)估板的介紹、特性、及應(yīng)用
英飛凌科技EiceDRIVER 1EDI3050AS評(píng)估板的介紹、特性、及應(yīng)用
摘要：通過(guò)1EDI3050AS SPI功能提供充分的靈活性來(lái)評(píng)估IGBT或SiC性能。英飛凌科技EiceDRIVER 1EDI3050AS評(píng)估板提供充分的靈活性，通過(guò)1EDI3050AS SPI功能評(píng)估IGBT或SiC性能。該板帶有GUI，可以根據(jù)不同的用例輕松定制參數(shù)，并具有兩個(gè)半橋并聯(lián)配置。1EDI3050AS / 1EDI3051A......
1EDI... 英飛凌科... Eice...
2023-12-19
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