英飛凌IRLML6401TRPBF MOS管詳細(xì)資料

英飛凌IRLML6401TRPBF是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，具體型號IRLML6401TRPBF中的每個部分都有其特定的含義：

• IRL：表示其屬于英飛凌生產(chǎn)的低壓MOSFET系列；

• M：表示其封裝類型為Micro-8封裝；

• L6401：特定型號編號；

• TRPBF：表示產(chǎn)品為無鉛版本（PBF），且為卷帶包裝（TR）。

廠商名稱：英飛凌

元件分類：MOS管

中文描述： 英飛凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P溝道,Si,Vds=12 V,4.3 A,3引腳微型封裝

英文描述： Power Field-Effect Transistor,4.3A I(D),12V,0.05ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,LEAD FREE,MICRO-3

數(shù)據(jù)手冊：http://syqqgy.com/data/k02-24421989-IRLML6401TRPBF.html

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IRLML6401TRPBF中文參數(shù)

IRLML6401TRPBF概述

英飛凌IRLML6401TRPBF是一款-12V單P溝道HEXFET功率MOSFET,與現(xiàn)有表面安裝技術(shù)兼容.該MOSFET具有更高的可靠性,易于制造.

無鹵素

MSL1,工業(yè)認(rèn)證

兼容多個供應(yīng)商

環(huán)保型

溝道MOSFET技術(shù)

±8V柵-源電壓

0.01W/°C線性降額因子

應(yīng)用范圍

電源管理

IRLML6401TRPBF引腳圖

工作原理

MOSFET的工作原理基于電場效應(yīng)。IRLML6401TRPBF作為N溝道MOSFET，其基本工作原理如下：

1. 柵極控制： 柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流動。當(dāng)施加正的柵極電壓（相對于源極）時，會在半導(dǎo)體材料表面形成一個反型層，從而在源極和漏極之間形成一條導(dǎo)電溝道。

2. 導(dǎo)通狀態(tài)： 當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時，導(dǎo)電溝道形成，電流可以從漏極流向源極，MOSFET進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

3. 截止?fàn)顟B(tài)： 當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時，導(dǎo)電溝道消失，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，沒有電流通過漏源極。

特點

IRLML6401TRPBF MOSFET具備以下幾個主要特點：

1. 低導(dǎo)通電阻 (Rds(on))： 其導(dǎo)通電阻非常低，通常在幾毫歐姆范圍內(nèi)。這有助于降低功耗，提高效率。

2. 快速開關(guān)速度： 由于其柵極電荷較小，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)速度，非常適合高速開關(guān)應(yīng)用。

3. 高可靠性： 采用先進(jìn)的制造工藝和材料，具備高可靠性和長壽命。

4. 低閾值電壓： 閾值電壓較低，使其能夠在較低的柵極電壓下工作，有利于低壓電路的設(shè)計。

5. 小封裝： Micro-8封裝體積小，適合空間受限的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

IRLML6401TRPBF廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，尤其是需要高效率和小體積的場合。以下是一些常見應(yīng)用領(lǐng)域：

1. DC-DC轉(zhuǎn)換器： 由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率。

2. 電池管理系統(tǒng)： 在電池充放電管理中，可以用于控制電流路徑，提升系統(tǒng)的整體效率。

3. 電源開關(guān)： 在電源管理中作為主開關(guān)管，能夠高效地控制電源的開關(guān)。

4. 便攜式設(shè)備： 由于其小封裝和高效能，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中。

5. 負(fù)載開關(guān)： 在各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，通過控制大電流負(fù)載，實現(xiàn)低功耗和高效率的切換。

參數(shù)

了解IRLML6401TRPBF的詳細(xì)參數(shù)對設(shè)計和應(yīng)用非常重要。以下是其主要技術(shù)參數(shù)：

1. 最大漏極-源極電壓 (Vds)： 20V

2. 最大柵極-源極電壓 (Vgs)： ±12V

3. 連續(xù)漏極電流 (Id)： 3.7A（在25°C時）

4. 脈沖漏極電流 (Idm)： 30A

5. 導(dǎo)通電阻 (Rds(on))： 25mΩ（Vgs = 4.5V時），35mΩ（Vgs = 2.5V時）

6. 柵極電荷 (Qg)： 8.3nC（典型值）

7. 輸入電容 (Ciss)： 540pF（典型值）

8. 閾值電壓 (Vgs(th))： 1V（最?。?V（最大）

9. 功率耗散 (Pd)： 1.25W（在25°C時）

這些參數(shù)展示了IRLML6401TRPBF在性能和可靠性方面的優(yōu)勢，是設(shè)計高效電源管理和切換電路的理想選擇。

總結(jié)

英飛凌IRLML6401TRPBF是一款高性能N溝道MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性，在多種電子應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。其小封裝和高效率特點使其特別適用于便攜式設(shè)備和空間受限的應(yīng)用場景。通過詳細(xì)了解其工作原理、特點和技術(shù)參數(shù)，可以更好地在實際設(shè)計中發(fā)揮其優(yōu)勢，提高電子系統(tǒng)的整體性能和可靠性。