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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應(yīng)用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開關(guān)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的工作。mosfet專為過載條件設(shè)計，支持高達+200°C的工作，并可承受長達2μs的短路。值得注意的是，該器件的基準(zhǔn)門閾值電壓V(GS(th))為4.2V，確保了精確控制。
特性
T(vj) = +25℃時V(DSS) = 1200V
當(dāng)T(C) = +100℃時，I(DDC) = 6.2A
R(DS(on)) = 233.9毫歐， V(GS) = 18V, T(vj) = +25℃
極低的開關(guān)損耗
可過載運行至T(vj) = +200℃
抗短路時間為2μs
基準(zhǔn)門閾值電壓，V(GS(th)) = 4.2V
抗寄生導(dǎo)通能力強，可應(yīng)用0V關(guān)斷柵電壓
堅固體二極管用于硬整流
.XT互連技術(shù)，具有一流的熱性能
應(yīng)用程序
電動汽車充電
在線UPS/工業(yè)UPS
太陽能優(yōu)化器
字符串逆變器
通用驅(qū)動器(GPD)
圖
責(zé)任編輯：David
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