英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動(dòng)汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術(shù)。XT模具貼附技術(shù)，在同等尺寸的模具上實(shí)現(xiàn)最佳的熱阻抗。

CoolSiC 750V G1技術(shù)提供非常高的魯棒性，特別是對(duì)宇宙輻射，使其非常適合大于500V的母線電壓。由于具有出色的抗雜散導(dǎo)通能力，這些器件可以用零伏V(GS)臺(tái)下電壓(單極柵極驅(qū)動(dòng)器)安全地驅(qū)動(dòng)，從而降低了系統(tǒng)復(fù)雜性、PCB面積占用和BOM數(shù)量。寬柵極源電壓額定值(-5V至23V, V(GS)靜態(tài))確保與雙極驅(qū)動(dòng)的兼容性，以增加設(shè)計(jì)靈活性。

這款CoolSiC 汽車MOSFET 750V G1系列具有非常細(xì)粒度的產(chǎn)品組合，R(DS(on))(典型+25°C)從8毫歐到140毫歐，并提供7引腳D2PAK和QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝。jedec發(fā)布的QDPAK TSC封裝有助于最大限度地利用PCB空間，使功率密度加倍，并通過(guò)基板熱去耦增強(qiáng)熱管理。頂部冷卻封裝顯著減少了設(shè)計(jì)冷卻基礎(chǔ)設(shè)施的工作量，是實(shí)現(xiàn)最高功率密度的關(guān)鍵。

特性

• 高度穩(wěn)健的750V技術(shù)

• 同類最佳的R(DS(on)) x Q(fr)，在硬開關(guān)半橋中具有卓越的效率

• R(DS(on)) × Q(oss)和R(DS(on)) × Q(g)的優(yōu)良數(shù)字使更高的開關(guān)頻率成為可能

• 低交叉/高交叉(gsth)

• 100%雪崩測(cè)試

• 英飛凌貼片技術(shù)

• 尖端的頂部冷卻封裝

• 更高的可靠性

• 可承受500V以上母線電壓

• 抗寄生匝

• 單極駕駛

• 一流的散熱性能

• 通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證

應(yīng)用程序

• 車載充電器

• 汽車用高壓-低壓直流-直流變換器

• 汽車靜態(tài)開關(guān)(eFuses, BMS)