產(chǎn)品分類
英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運(yùn)行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置，以在各自的產(chǎn)品組合中實(shí)現(xiàn)特定于應(yīng)用的功能，例如，門源電壓、雪崩規(guī)格、短路能力或內(nèi)部體二極管額定電壓 艱難的變換。
第二代CoolSiC 1200 V系列采用d2 PAK-7L (TO-263-7)封裝，適用于工業(yè)應(yīng)用。它建立在一代人的力量之上 在硬交換操作和軟交換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的關(guān)鍵性能指標(biāo)上有重大改進(jìn)的技術(shù)，適用于所有通用 AC/DC、DC/DC和DC/AC級組合。
REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC參考設(shè)計(jì)由兩個(gè)pcb組成，包括驅(qū)動電路和用于伺服電機(jī)和驅(qū)動器的三相逆變器。優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度，無冷卻風(fēng)扇的被動冷卻，以及PCB直徑僅為110毫米的超小占地面積。
CoolSiC G2與G1的比較
提高芯片性能:與典型負(fù)載用例相比，功耗降低5%至20%
改進(jìn)的。xt封裝互連:耐熱性提高12%，R(th(j-c))
優(yōu)秀的R(DS(on))和粒度組合:G2中的8個(gè)毫歐與G1中的30個(gè)毫歐相比，12個(gè)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了最佳產(chǎn)品選擇
過載操作高達(dá)T(vj) = 200和雪崩穩(wěn)健性在G2
G2高溫下的最大R(DS(on))
魯棒短路額定值:2μs
放大最大柵源電壓:- 10v ~ + 23v
高可靠性:保持G1驗(yàn)證水平，DPM率非常低
特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
最高效率，減少冷卻努力
壽命更長，可靠性更高
高頻操作
降低系統(tǒng)成本
聯(lián)合包裹
儲能系統(tǒng)/太陽能
電動汽車快速充電
smp
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