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英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒狀產(chǎn)品組合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封裝的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范圍為8.7毫歐至160毫歐， ID為+25°C，最大17A至205A。高功率密度、卓越效率、雙向充電能力以及顯著降低的系統(tǒng)成本使英飛凌科技1200V汽車CoolSiC MOSFET模塊成為車載充電器和DC-DC應(yīng)用的理想選擇。TO和SMD組件還配備了開(kāi)爾文源引腳，以優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。
特性
革命性的碳化硅半導(dǎo)體材料
極低的開(kāi)關(guān)損耗
增加導(dǎo)通電壓V(GS(on)) 20V
兼容igbt驅(qū)動(dòng)電壓
0V關(guān)斷柵極電壓
基準(zhǔn)柵極閾值電壓V(GS(the)) = 4.5V
一流的開(kāi)關(guān)能量
器件電容低
無(wú)閾值on-state特性
與溫度無(wú)關(guān)的關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗
.XT模具貼附技術(shù)，具有一流的熱性能
完全可控的dv/dt
用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的檢測(cè)引腳
適用于高壓漏電要求
細(xì)引線，減少焊接橋的風(fēng)險(xiǎn)
整流穩(wěn)健體二極管，準(zhǔn)備同步整流
-55℃~ +175℃工作溫度范圍
無(wú)鉛，無(wú)鹵，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
車載充電器和pfc
助推器和DC/DC轉(zhuǎn)換器
輔助逆變器
責(zé)任編輯：David
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