產(chǎn)品分類(lèi)
英飛凌IRF640NPBF MOS管中文資料
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英飛凌IRF640NPBF MOS管
一、型號(hào)類(lèi)型
IRF640NPBF是由英飛凌公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。這種類(lèi)型的MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度，適用于各種電源管理應(yīng)用。它采用TO-220封裝，適合通過(guò)焊接或散熱器安裝。
廠商名稱：英飛凌
元件分類(lèi)：MOS管
中文描述： 英飛凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,N溝道,Si,Vds=200 V,18 A,3引腳TO-220AB封裝
英文描述： Power Field-Effect Transistor,18A I(D),200V,0.15ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-220AB,LEAD FREE,PLASTIC PACKAGE-3
數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://syqqgy.com/data/k02-24415580-IRF640NPBF.html
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IRF640NPBF中文參數(shù)
IRF640NPBF概述
英飛凌公司的IRF640NPBF是一款200V單N溝道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封裝.此MOSFET具有極低的單位面積導(dǎo)通電,額定動(dòng)態(tài)dv/dt,耐用的快速開(kāi)關(guān)以及全雪崩額定,功率MOSFET提供極高的效率和穩(wěn)定性,用于多種應(yīng)用.
漏極至源極電壓:200V
柵-源電壓：±20V
導(dǎo)通電阻Rds(on)為150mohm
25°C功率耗散Pd:150W
Vgs 10V 25°C時(shí),連續(xù)漏電流Id:18A
工作結(jié)溫范圍:-55°C至175°C
應(yīng)用范圍
電源管理,工業(yè),便攜式器材,消費(fèi)電子產(chǎn)品
IRF640NPBF引腳圖
二、工作原理
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制器件，通過(guò)控制柵極與源極之間的電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏極與源極之間的電流。IRF640NPBF屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其基本工作原理如下：
柵極驅(qū)動(dòng)：當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通。這時(shí)，柵極電壓會(huì)在柵極和源極之間形成電場(chǎng)，吸引N型半導(dǎo)體中的電子，形成導(dǎo)電溝道。
電流流動(dòng)：一旦導(dǎo)電溝道形成，漏極與源極之間的電流可以自由流動(dòng)。電流的大小取決于柵極電壓和漏極電壓。
關(guān)斷過(guò)程：當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，漏極與源極之間的電流被切斷。
三、特點(diǎn)
IRF640NPBF具有以下顯著特點(diǎn)：
低導(dǎo)通電阻（R<sub>DS(on)</sub>）：導(dǎo)通電阻越低，功耗越小，效率越高。IRF640NPBF的典型R<sub>DS(on)</sub>值為0.18歐姆。
高耐壓：其漏極-源極最大耐壓為200V，適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)合。
高電流承載能力：具有18A的最大漏極電流能力。
高開(kāi)關(guān)速度：具有較快的開(kāi)關(guān)特性，有利于提高電路的開(kāi)關(guān)效率和頻率。
熱穩(wěn)定性好：采用TO-220封裝，有良好的散熱性能。
四、應(yīng)用
IRF640NPBF廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：其高效和高耐壓特性使其非常適用于開(kāi)關(guān)電源的主開(kāi)關(guān)元件。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的H橋結(jié)構(gòu)，提供高效率的電流控制。
逆變器和變頻器：在逆變器和變頻器中作為主要開(kāi)關(guān)元件使用，提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
電池管理系統(tǒng)（BMS）：在電池管理系統(tǒng)中用于充放電控制和保護(hù)電路。
高頻變換器：適用于高頻率的變換器電路，提高變換效率和減少損耗。
五、參數(shù)
IRF640NPBF的主要參數(shù)如下：
電壓和電流參數(shù)：
漏極-源極最大電壓（V<sub>DSS</sub>）：200V
柵極-源極最大電壓（V<sub>GS</sub>）：±20V
最大漏極電流（I<sub>D</sub>）：18A
脈沖漏極電流（I<sub>DM</sub>）：72A
導(dǎo)通特性：
導(dǎo)通電阻（R<sub>DS(on)</sub>）：0.18Ω（典型值，V<sub>GS</sub>=10V）
開(kāi)關(guān)特性：
柵極電荷（Q<sub>g</sub>）：67nC（V<sub>GS</sub>=10V）
輸入電容（C<sub>iss</sub>）：1580pF
輸出電容（C<sub>oss</sub>）：320pF
反向傳輸電容（C<sub>rss</sub>）：110pF
時(shí)間特性：
開(kāi)通延遲時(shí)間（t<sub>d(on)</sub>）：10ns
上升時(shí)間（t<sub>r</sub>）：42ns
關(guān)斷延遲時(shí)間（t<sub>d(off)</sub>）：31ns
下降時(shí)間（t<sub>f</sub>）：27ns
熱特性：
結(jié)點(diǎn)與環(huán)境熱阻（R<sub>θJA</sub>）：62.5°C/W
結(jié)點(diǎn)與殼熱阻（R<sub>θJC</sub>）：1.0°C/W
工作結(jié)溫范圍：-55°C至175°C
六、總結(jié)
IRF640NPBF作為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓、高電流承載能力和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和變頻器、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。其優(yōu)異的電氣特性和熱特性使其成為功率電子領(lǐng)域中的理想選擇。
責(zé)任編輯：David
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