英飛凌IRF4905STRLPBF MOS管中文資料

1. 型號和類型

IRF4905STRLPBF 是英飛凌公司生產(chǎn)的功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET，主要用于低壓、高電流的開關(guān)應(yīng)用中。此型號采用TO-252封裝，適用于表面貼裝技術(shù)（SMT）。

P溝道MOSFET

P溝道MOSFET是一種場效應(yīng)晶體管，其工作原理與N溝道MOSFET相反。P溝道MOSFET在源極（Source）和漏極（Drain）之間形成一個P型半導(dǎo)體區(qū)域，而在柵極（Gate）施加負(fù)電壓時，使P溝道導(dǎo)通。在沒有負(fù)電壓或施加正電壓時，P溝道處于截止?fàn)顟B(tài)。IRF4905STRLPBF作為P溝道MOSFET，適用于需要負(fù)電壓控制的電路。

　　廠商名稱：ST意法半導(dǎo)體

　　元件分類：達(dá)林頓管

　　中文描述： 單晶體管雙極，達(dá)林頓，NPN，400 V，15 A，125 W，TO-220，通孔

　　英文描述： Trans Darlington NPN 400V 10A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

　　數(shù)據(jù)手冊：

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　　BU931T概述

　　BU931T是采用多外延平面技術(shù)制造的400V高壓點火線圈驅(qū)動器NPN功率達(dá)林頓晶體管。該晶體管經(jīng)過適當(dāng)設(shè)計，可在汽車環(huán)境中用作電子點火電源執(zhí)行器。快速的開關(guān)時間和非常低的飽和電壓可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。

　　非常堅固的雙極技術(shù)

　　高工作結(jié)溫

　　良好控制的hFE參數(shù)可提高可靠性

　　應(yīng)用

　　電源管理

　　BU931T中文參數(shù) 

?　　BU931T引腳圖

2. 工作原理

MOSFET 的工作原理是通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流。IRF4905STRLPBF 作為P溝道MOSFET，當(dāng)柵極電壓（V_GS）低于源極電壓（V_S）時，形成導(dǎo)通狀態(tài)，允許電流從源極流向漏極。當(dāng)柵極電壓高于源極電壓時，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)，阻止電流流動。

在IRF4905STRLPBF中，當(dāng)柵極電壓為零或正值時，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)施加負(fù)柵極電壓時，P型半導(dǎo)體中的空穴在柵極電壓的作用下被吸引，從而在源極和漏極之間形成導(dǎo)電通道，使電流能夠從源極流向漏極。這一過程稱為增強(qiáng)模式（Enhancement Mode）。

3. 特點

IRF4905STRLPBF 具有以下主要特點：

• 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：該MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下具有極低的導(dǎo)通電阻，通常在0.02Ω以下。這意味著在高電流條件下，MOSFET產(chǎn)生的功率損耗較小，有助于提高電路的效率。

• 高電流處理能力：該器件能夠處理高達(dá)74A的連續(xù)漏極電流（I_D），適用于大電流應(yīng)用。

• 低柵極電荷（Q_g）：IRF4905STRLPBF具有較低的柵極電荷，使其能夠以較高的頻率進(jìn)行開關(guān)操作，同時減少驅(qū)動電路的能耗。

• 寬廣的工作電壓范圍：該MOSFET的漏源擊穿電壓（V_DS）為-55V，使其能夠在各種電源電壓條件下可靠工作。

• 高可靠性和耐用性：采用TO-252封裝，具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度，能夠在惡劣的工作環(huán)境中穩(wěn)定運行。

4. 應(yīng)用

IRF4905STRLPBF 廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率開關(guān)的領(lǐng)域，主要包括：

• 電源管理系統(tǒng)：用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源（SMPS）等電源管理電路中，實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和分配。

• 電機(jī)控制：在電動機(jī)驅(qū)動和控制電路中，MOSFET用于調(diào)節(jié)電流和電壓，實現(xiàn)精確的速度和方向控制。

• 電池管理系統(tǒng)：用于電池充電和放電控制，確保電池的高效充電和安全使用。

• 汽車電子：在汽車電子系統(tǒng)中，IRF4905STRLPBF可用于控制燈光、座椅加熱器、空調(diào)等負(fù)載。

• 工業(yè)自動化：用于工業(yè)自動化設(shè)備的控制電路中，實現(xiàn)高效的電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載控制。

5. 參數(shù)

IRF4905STRLPBF 的主要技術(shù)參數(shù)如下：

• 漏源擊穿電壓（V_DS）：-55V

• 連續(xù)漏極電流（I_D）：74A（在25°C環(huán)境溫度下）

• 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：0.02Ω（最大值，在V_GS=-10V時）

• 柵極電荷（Q_g）：160nC（在V_GS=-10V時）

• 柵極閾值電壓（V_GS(th)）：-2V至-4V

• 總功耗（P_D）：200W（在25°C環(huán)境溫度下）

• 封裝類型：TO-252

這些參數(shù)顯示了IRF4905STRLPBF在各種應(yīng)用中的高效性能和可靠性，使其成為各種高效電源管理和控制系統(tǒng)中的理想選擇。

總結(jié)： IRF4905STRLPBF是英飛凌公司推出的一款高效P溝道MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力、低柵極電荷和寬廣的工作電壓范圍等優(yōu)點。廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)、電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、汽車電子和工業(yè)自動化等領(lǐng)域。其主要技術(shù)參數(shù)如漏源擊穿電壓、連續(xù)漏極電流、導(dǎo)通電阻和柵極電荷等表明該器件在高效功率開關(guān)應(yīng)用中的卓越性能和可靠性。