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英飛凌CoolSiC汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet雙向車載充電器的介紹、特性、及應用
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英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術。XT模具貼附技術，在同等尺寸的模具上實現(xiàn)最佳的熱阻抗。
CoolSiC 750V G1技術提供非常高的魯棒性，特別是對宇宙輻射，使其非常適合大于500V的母線電壓。由于具有出色的抗雜散導通能力，這些器件可以用零伏V(GS)臺下電壓(單極柵極驅動器)安全地驅動，從而降低了系統(tǒng)復雜性、PCB面積占用和BOM數(shù)量。寬柵極源電壓額定值(-5V至23V, V(GS)靜態(tài))確保與雙極驅動的兼容性，以增加設計靈活性。
這款CoolSiC 汽車MOSFET 750V G1系列具有非常細粒度的產(chǎn)品組合，R(DS(on))(典型+25°C)從8毫歐到140毫歐，并提供7引腳D2PAK和QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝。jedec發(fā)布的QDPAK TSC封裝有助于最大限度地利用PCB空間，使功率密度加倍，并通過基板熱去耦增強熱管理。頂部冷卻封裝顯著減少了設計冷卻基礎設施的工作量，是實現(xiàn)最高功率密度的關鍵。
特性
高度穩(wěn)健的750V技術
同類最佳的R(DS(on)) x Q(fr)，在硬開關半橋中具有卓越的效率
R(DS(on)) × Q(oss)和R(DS(on)) × Q(g)的優(yōu)良數(shù)字使更高的開關頻率成為可能
低交叉/高交叉(gsth)
100%雪崩測試
英飛凌貼片技術
尖端的頂部冷卻封裝
更高的可靠性
可承受500V以上母線電壓
抗寄生匝
單極駕駛
一流的散熱性能
通過無鉛認證
應用程序
車載充電器
汽車用高壓-低壓直流-直流變換器
汽車靜態(tài)開關(eFuses, BMS)
責任編輯：David
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