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MOSFET
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onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MO...
　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET為快速開關應用進行了優(yōu)化，并提供了一個低22毫歐漏源通電阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V柵驅(qū)動時提供最佳性能，但在使用15V柵驅(qū)動時也工作良好。該器件采用平面技術，工作可靠的負柵電壓驅(qū)動和關閉柵上的尖峰?！　nsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
ONSE... nntb... SiC ...
2023-04-18
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及應用
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及...
　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一個全橋和一個熱敏電阻的電源模塊。這些mosfet具有熱敏電阻和壓合銷。NXH0x0F120MNF1模塊提供預應用熱接口材料(TIM)和不預應用TIM選項。這些模塊理想地用于太陽能逆變器，不間斷電源，電動汽車充電站和工業(yè)電源。NXH0x0F120MNF1......
ONSE... NXH0... SiC ...
2023-04-12
5
DMTH46M7SFVWQ n通道增強模式MOSFET的介紹、特性、及應用
DMTH46M7SFVWQ n通道增強模式MOSFET的介紹、特性、及應用
　　DMTH46M7SFVWQ n通道增強模式MOSFET是一種AEC-Q101合格的MOSFET，具有低R(DS(ON))，確保最小的導通損耗。這種MOSFET具有優(yōu)秀的QGD ×R(DS(ON))產(chǎn)品(FOM)和可濕性側(cè)面，用于改進光學檢查。DMTH46M7SFVWQ MOSFET是無鉛的，符合rohs標準，并支持生產(chǎn)部件批準流......
DMTH... MOSF...
2023-03-31
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AEC-Q n通道功率mosfet L-TOGL 封裝的介紹、特性、及應用
AEC-Q n通道功率mosfet L-TOGL 封裝的介紹、特性、及應用
　　東芝的40 V n通道功率mosfet XPQR3004PB和XPQ1R004PB通過將高散熱封裝L-TOGL(大型晶體管輪廓鷗翼引線)與U-MOS IX-H芯片工藝相結合，實現(xiàn)了超低導通電阻，高漏極電流額定值和高散熱?！　-TOGL封裝在尺寸上與現(xiàn)有的to - 220sm (W)封裝相當，但是，XPQR3004PB大大提高了電流......
東芝 XPQR... XPQ1...
2023-03-02
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第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的介紹、特性、及應用
第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的介紹、特性、及應用
　　PANJIT的第二代屏蔽柵溝槽(SGT) MOSFET具有優(yōu)異的性能系數(shù)(FOM)質(zhì)量，為磚型模塊中的DC/DC變換器拓撲提供了高效的設計解決方案。該100v SGT系列提供18個標準和17個邏輯級部件。PANJIT的晶圓技術使第2代SGT mosfet能夠產(chǎn)生低柵電荷和R(DS(ON))，以最大限度地減少傳導損耗，并創(chuàng)建優(yōu)秀的......
Panj... MOSF... DC/D...
2023-03-02
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二極管合并AP74700Q理想二極管MOSFET控制器的介紹、特性、及應用
二極管合并AP74700Q理想二極管MOSFET控制器的介紹、特性、及應用
　　　　二極管。AP74700Q理想二極管MOSFET控制器是一種汽車兼容的設備，當與適當?shù)耐獠縩通道功率MOSFET使用時，在單向功率路徑和反向電壓中提供低損耗20mV正向壓降整流器。AP74700Q支持3.2V到65V的廣泛輸入工作范圍，允許控制許多流行的直流軌道電壓，如12V, 24V或更高的汽車電池系統(tǒng)。3.2V輸入電壓支持適用......
AP74... 理想二極... MOSF...
2023-02-15
2
MOSFET對使單刀雙擲開關變得簡單
MOSFET對使單刀雙擲開關變得簡單
　　借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關閉時從次級電源為其供電，以便待機工作 (圖1 ).通過使用互補對，您可以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結構中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現(xiàn)出小于0.1V的壓降，并且兩個M......
2N70... MOSF... 雙擲開關
2023-02-02
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單MOSFET電路柵極和調(diào)制
單MOSFET電路柵極和調(diào)制
　　立式小信號MOSFET至今仍有用途，本設計理念提出了兩個簡單的例子：AND柵極和幅度調(diào)制器?！　D1 圖中顯示了標準雙輸入AND柵極及其MOSFET(以及單電阻或雙電阻)實現(xiàn)。　　　　圖1 雙輸入和柵極 (a) 和 MOSFET 實現(xiàn) (b)　　輸入 A 和輸入 B 在這里連接　　　　到由 15V 電池供電的單極開關。輸入A連接到MO......
MOSF...
2023-02-02
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Rectron RM2312 n通道增強模式功率MOSFET的介紹、特性、及應用
Rectron RM2312 n通道增強模式功率MOSFET的介紹、特性、及應用...
　　　　Rectron RM2312 n通道增強模式功率MOSFET使用先進的溝槽技術提供優(yōu)秀的R(DS(ON))。MOSFET具有低柵電荷和低至2.5V柵電壓的工作特性。該裝置適用于電池保護或其他開關應用?！　√匦浴　(ds) = 20v, i (d) 4.5a　　R(DS(ON))小于45毫歐 @ V(GS)=1.8V　　R(DS......
Rect... RM23... MOSF...
2023-01-11
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碳化硅 MOSFET 吹捧格紋嵌入式肖特基二極管
碳化硅 MOSFET 吹捧格紋嵌入式肖特基二極管
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）在電力電子領域的應用中，因其出色的物理特性而備受矚目。格紋嵌入式肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）的引入，為碳化硅MOSFET的性能提升帶來了顯著的效果。以下是關于碳化硅MOSFET及其格紋嵌入式肖特基二極管的詳細分析：一、碳化硅MOSFET的優(yōu)勢高溫工作特性：......
東芝 肖特基二... 碳化硅
2022-12-20
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ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號MOSFET的介紹、特性、及應用
ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號MOSFE...
ROHM Semiconductor RV4E031RPHZG小信號MOSFET的介紹ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG是一款超緊湊型車規(guī)級小信號MOSFET，專為汽車應用設計。它采用了Wettable Flank成型技術，提供了車輛應用所需的封裝側(cè)面電極高度（130μm），從而確保了卓越的安裝可靠性和一致的焊......
ROHM... RV4E... 低導通電...
2022-11-28
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ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性、及應用
ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的...
ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性及應用如下：介紹RX3G07CGNC16是ROHM Semiconductor生產(chǎn)的一款功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），屬于N型通道（N-CH）的MOSFET。該型號晶體管采用TO-220AB封裝，適用于各種需要高電流、高電壓控制的......
ROHM RX3G... MOSF...
2022-11-28
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ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET的介紹、特性、及應用
ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFE...
ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET介紹RA1C030LD是ROHM Semiconductor推出的一款WLCSP（Wafer Level Chip Size Package，晶圓級芯片尺寸封裝）MOSFET。這款MOSFET以其獨特的規(guī)格和性能，特別適用于開關電路、單節(jié)電池驅(qū)動的應用以及移......
ROHM RA1C... MOSF...
2022-11-24
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Micro Commercial Components (MCC) 1200V n溝道MOSFET的介紹、特性、及應用
Micro Commercial Components (MCC) 1200V ...
Micro Commercial Components (MCC) 1200V n溝道MOSFET的介紹、特性及應用如下：介紹MCC的1200V n溝道MOSFET是一款高性能的功率半導體器件，設計用于需要高開關頻率、高阻塞電壓和低通阻的應用中。這款MOSFET采用先進的半導體技術，結合了低通阻和出色的雪崩能力，為各種電力電子設備提供了可......
MOSF... 開關頻率 高阻塞電...
2022-11-23
33
PANJIT n通道增強模式mosfet的介紹、特性、及應用
PANJIT n通道增強模式mosfet的介紹、特性、及應用
PANJIT的n通道增強模式MOSFET是一種高性能的半導體器件，用于電子開關和電流調(diào)節(jié)等應用。這種MOSFET在AEC-Q101合格的封裝中提供，確保了其在汽車電子等應用中的可靠性和穩(wěn)定性。特性低反向傳輸電容：PANJIT的n通道增強模式MOSFET在DFN5060-8L封裝中提供了低反向傳輸電容，這有助于減少開關過程中的能量損失和噪聲......
Panj... MOSF... PSMx...
2022-11-23
8
如何將第三代SiC MOSFET應用于電源設計以提高性能和能效
如何將第三代SiC MOSFET應用于電源設計以提高性能和能效
將第三代碳化硅（SiC）MOSFET應用于電源設計是提高性能和能效的重要方法之一。在本文中，我將詳細介紹SiC MOSFET的優(yōu)勢、應用領域以及品牌型號，并探討如何在電源設計中充分利用這些優(yōu)勢。1. SiC MOSFET的優(yōu)勢一、低導通電阻：SiC MOSFET具有較低的導通電阻，能夠降低導通損耗，提高電源的效率。二、高開關速度：SiC ......
第三代S... 電源設計 SiC ...
2022-11-11
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ON Semiconductor NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 40 V功率mosfet的介紹、特性、及應用
ON Semiconductor NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 4...
ON Semiconductor的NTMFS5C4xx系列是一款40V單N通道功率MOSFET，專為需要高性能、低功耗和緊湊封裝的應用而設計。該系列MOSFET采用特定的封裝類型（如DFN），具有優(yōu)良的電氣性能，非常適合在高電壓、大電流的應用中使用。特性：低導通電阻：NTMFS5C4xx系列具有低導通電阻，能夠減少導通損耗，提高能效。低柵......
NTMF... NVMF... ON S...
2022-11-09
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Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET的介紹、特性、及應用
Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET的介紹、特性...
一、介紹Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET是一種高性能的功率半導體器件，以其卓越的性能和廣泛的應用領域而知名。TrenchFET系列MOSFET包括多個不同的版本和封裝形式，如第三代和第四代產(chǎn)品，每種都針對特定的應用進行了優(yōu)化。二、特性超低RDS(on)特性：TrenchFET功率MOSFET具有超低的R......
Vish... Tren... MOSF...
2022-11-07
5
意法半導體STL12N10F7 STripFET F7功率MOSFET的介紹、特性、及應用
意法半導體STL12N10F7 STripFET F7功率MOSFET的介紹、特...
STL12N10F7采用了STripFET? F7技術，該技術通過增強的溝槽柵極結構，實現(xiàn)了非常低的導通電阻。這種設計不僅降低了內(nèi)部電容和柵極電荷，還使得MOSFET在開關過程中能夠更快、更高效地工作。特性低導通電阻：STL12N10F7具有11.3mΩ的典型導通電阻（RDS(on)），這是市場上同類產(chǎn)品中的較低水平。高電流能力：這款MO......
意法半導... STL1... STri...
2022-11-07
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意法半導體900V MDmesh K5 mosfet的介紹、特性、及應用
意法半導體900V MDmesh K5 mosfet的介紹、特性、及應用
意法半導體的900V MDmesh K5 MOSFET是一款專為滿足高功率和高能效系統(tǒng)需求而設計的超高壓超結技術MOSFET。該產(chǎn)品憑借其卓越的性能和可靠性，在電源管理領域得到了廣泛應用。特性高電壓等級：900V的崩潰電壓確保在高匯流排電壓系統(tǒng)應用下具有更高的安全系數(shù)。優(yōu)異的導通電阻：該系列MOSFET具有同級最好的導通電阻(RDS(ON......
意法半導... MDme... 超級結晶...
2022-11-03
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