本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種超級結晶體管及其形成方法。背景技術超級結（SuperJunction）結構是一種由一系列交替排列的P型半導體層和N型半導體層所構成的結構，而超級結MOS晶體管既是基于該超級結結構的一種半導體功率器件。所述超級結MOS晶體管是在垂直雙擴散MOS（VDMOS，VerticalDouble-DiffusedMOS）晶體管的基礎上發(fā)展而來的，除了具備所述垂直雙擴散MOS晶體管所具有的優(yōu)點之外，所述超級結MOS晶體管還具有導通電阻（Rdson）低、擊穿電壓（BV，...