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總柵極電荷
總柵極電荷
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"總柵極電荷（Qg）是指為導(dǎo)通（驅(qū)動(dòng)）MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時(shí)也稱為柵極總電荷。"單位為庫(kù)侖（C），總柵極電荷值較大，則導(dǎo)通MOSFET所需的電容充電時(shí)間變長(zhǎng)，開關(guān)損耗增加。數(shù)值越小，開關(guān)損耗（切換損耗）越小，從而可實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。

意法半導(dǎo)體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗
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意法半導(dǎo)體新推出的MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和開關(guān)功率損耗降低方面表現(xiàn)出色，以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品特點(diǎn)提高能效：MDmesh K6系列MOSFET通過改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，顯著提高了能效。其RDS(on) x 面積參數(shù)在市場(chǎng)上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，這意味著在相同的電流下，其導(dǎo)通電......
超級(jí)結(jié)晶... 電源適配... 總柵極電...
2021-10-27
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