原標(biāo)題：意法半導(dǎo)體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗

意法半導(dǎo)體新推出的MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和開關(guān)功率損耗降低方面表現(xiàn)出色，以下是對該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 提高能效：

• MDmesh K6系列MOSFET通過改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，顯著提高了能效。其RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，這意味著在相同的電流下，其導(dǎo)通電阻更低，從而減少了功率損耗。

2. 最大限度降低開關(guān)功率損耗：

• 該系列MOSFET的總柵極電荷(Qg)非常低，這有助于實(shí)現(xiàn)高開關(guān)速度和低損耗。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，低Qg能夠減少每次開關(guān)的能量損失，從而進(jìn)一步降低整體功率損耗。

3. 低閾壓設(shè)計(jì)：

• K6系列的閾壓比上一代MDmesh K5更低，這使得其可以使用更低的電壓驅(qū)動(dòng)，從而降低功耗并提高能效。這一特性特別適用于零功耗待機(jī)應(yīng)用，有助于延長設(shè)備的待機(jī)時(shí)間。

4. 高魯棒性：

• 芯片上集成了一個(gè)ESD保護(hù)二極管，將MOSFET的整體魯棒性提高到人體模型(HBM) 2級。這增強(qiáng)了產(chǎn)品的抗干擾能力和穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

二、應(yīng)用領(lǐng)域

MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，如LED驅(qū)動(dòng)器、HID燈等。此外，它還適用于電源適配器和平板顯示器的電源等應(yīng)用場景。這些應(yīng)用對功率密度和能效要求較高，而MDmesh K6系列MOSFET正好滿足了這些需求。

三、市場反響

意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI的首席技術(shù)官、研發(fā)經(jīng)理Luca Colombo對該系列MOSFET表示了高度認(rèn)可。他指出，MDmesh K6系列的樣片在Rdson* 面積和總柵極電荷(Qg)性能方面表現(xiàn)出色，給他留下了深刻印象。

四、產(chǎn)品系列

目前，MDmesh K6系列已經(jīng)推出了多款產(chǎn)品，如STD80N240K6（RDS(on)最高220 mΩ）、STD80N340K6（RDS(on)最高340 mΩ）和STD80N450K6（RDS(on)最高450 mΩ）等。這些產(chǎn)品以DPAK封裝形式提供，并具備出色的性能和易用性。未來，意法半導(dǎo)體還將推出更多采用不同封裝的MDmesh K6系列器件，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

綜上所述，意法半導(dǎo)體的新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和開關(guān)功率損耗降低方面取得了顯著成效，為照明、電源適配器和平板顯示器等應(yīng)用領(lǐng)域提供了高性能、高可靠性的解決方案。