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ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號MOSFET的介紹、特性、及應用
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原標題：ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號MOSFET的介紹、特性、及應用
ROHM Semiconductor RV4E031RPHZG小信號MOSFET的介紹
ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG是一款超緊湊型車規(guī)級小信號MOSFET，專為汽車應用設計。它采用了Wettable Flank成型技術，提供了車輛應用所需的封裝側(cè)面電極高度（130μm），從而確保了卓越的安裝可靠性和一致的焊接質(zhì)量。這款MOSFET不僅適用于ADAS攝像機模塊等汽車設備，還有助于實現(xiàn)進一步的小型化。
特性
封裝和尺寸：RV4E031RPHZG采用了DFN1616-6W封裝，尺寸為1.6x1.6mm（t=0.8mm），這種超緊湊的設計非常適合對空間有嚴格要求的汽車應用。
電氣特性：
漏源電壓VDSS：最高可達-30V。
漏電流ID：最高可達-3.1A。
RDS(on)值：在低驅(qū)動電壓下具有較低的RDS(on)值，如VGS=4V時RDS(on)為0.122Ω，VGS=10V時RDS(on)為0.075Ω。
低噪聲：RV4E031RPHZG具有低噪聲特性，適用于對信號質(zhì)量要求較高的應用，如音頻放大器等。
高可靠性：Wettable Flank成型技術確保了產(chǎn)品的一致性和可靠性，即使在惡劣的汽車環(huán)境中也能保持穩(wěn)定性能。
應用
RV4E031RPHZG小信號MOSFET主要應用于汽車領域，特別是那些需要高精度、高可靠性和小型化設計的部分。例如，它可以用于ADAS攝像機模塊的電源管理、電機驅(qū)動、以及其他需要精確控制電流和電壓的汽車電子設備中。此外，由于其低噪聲特性，它還可以用于音頻放大器等對信號質(zhì)量要求較高的應用中。
總的來說，ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG小信號MOSFET憑借其超緊湊的設計、優(yōu)異的電氣特性和高可靠性，在汽車領域具有廣泛的應用前景。
責任編輯：David
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