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Panjit
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PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管具有平面模具結(jié)構(gòu)，是自動(dòng)化組裝過(guò)程的理想選擇。DFN1006-2L封裝二極管工作溫度范圍為-55°C至+150°C，最大標(biāo)稱齊納電壓范圍為4.10V至49.35V。PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管在+25°C時(shí)提供250mW最大峰值脈沖功耗，在10mA時(shí)提供0.9V最大正向電壓。......
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2024-04-18
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PANJIT SS2030DSN表面貼裝肖特基勢(shì)壘整流器的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT SS2030DSN表面安裝肖特基勢(shì)壘整流器具有高浪涌電流能力和低正向電壓/漏電流，采用DSN1608-2L封裝，高度小于0.31mm。SS2030DSN工作在-55°C至+150°C的溫度范圍內(nèi)，最大重復(fù)峰值反向電壓30V，最大平均正向電流2A。典型的正向電壓范圍為0.25V至0.36V。特性高度小于0.31mm的芯片級(jí)封裝......
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2024-04-18
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PANJIT PTGH高速650V場(chǎng)停止壕igbt的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT PTGH高速650V場(chǎng)停止溝槽igbt在T(VJ) +25°C時(shí)具有1.65V的低飽和電壓，具有卓越的高速開(kāi)關(guān)能力。PANJIT PTGH igbt與低Q(rr)和軟恢復(fù)二極管共封裝。igbt的最高結(jié)溫為T(mén)(VJ) +175°C，確保了高效的性能。這些設(shè)備的設(shè)計(jì)保證了苛刻條件下的可靠性。一個(gè)正系數(shù)V(CEsat)可以方便地并......
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2024-04-18
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PANJIT PJMBZ ESD保護(hù)二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT PJMBZ ESD保護(hù)二極管設(shè)計(jì)用于保護(hù)敏感設(shè)備免受ESD影響并防止閉鎖事件。這些二極管是雙齊納ESD/瞬態(tài)保護(hù)器，具有公共陰極，典型的反向擊穿電壓范圍為5.6V至33V。雙器件的組合在單個(gè)封裝中保護(hù)多達(dá)兩條數(shù)據(jù)線，提供額外的電路板空間。PJMBZ ESD保護(hù)二極管可用于汽車(chē)級(jí)，主要用于CAN和LIN總線。這些PJMBZ T......
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2024-02-20
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PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器將交流(AC)電壓轉(zhuǎn)換為直流(DC)電壓。S5xB采用SMB封裝，穩(wěn)定性強(qiáng)，可靠性高，漏電流小。整流器是無(wú)鉛的，符合歐盟RoHS 2.0，并具有符合IEC 61249標(biāo)準(zhǔn)的綠色成型化合物。S5xB器件廣泛應(yīng)用于5A電流的各種設(shè)備，包括電源、逆變器、轉(zhuǎn)換器、監(jiān)視器和其他電子設(shè)備。特性低正向電壓，大電流......
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2024-01-22
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PANJIT 40V增強(qiáng)模式mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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　　PANJIT 40V增強(qiáng)模式mosfet是低壓mosfet，導(dǎo)通電阻低于1歐姆。這些低壓mosfet符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，通常用于汽車(chē)級(jí)設(shè)備。40V增強(qiáng)模式mosfet是無(wú)鉛的，符合歐盟RoHS 2.0。典型的應(yīng)用包括低功耗系統(tǒng)產(chǎn)品，如筆記本電腦、PC主板、平板電腦和其他便攜式消費(fèi)產(chǎn)品?！　√匦浴　?0V低壓mosfet　　A......
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2023-07-05
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PANJIT 第1.5代SiC肖特基勢(shì)壘二極管的介紹、特性、及應(yīng)用
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　　PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是為電氣工程師設(shè)計(jì)具有更低散熱的高性能系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)的。快速恢復(fù)二極管(FRD)在關(guān)斷操作時(shí)有一些反向恢復(fù)電流，在主開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)產(chǎn)生額外的開(kāi)關(guān)損失。相比之下，肖特基勢(shì)壘二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流，因此它可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下使用，但它的缺點(diǎn)是由于更高的漏電而導(dǎo)致較低的擊穿電壓。S......
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2023-06-05
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第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的介紹、特性、及應(yīng)用
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　　PANJIT的第二代屏蔽柵溝槽(SGT) MOSFET具有優(yōu)異的性能系數(shù)(FOM)質(zhì)量，為磚型模塊中的DC/DC變換器拓?fù)涮峁┝烁咝У脑O(shè)計(jì)解決方案。該100v SGT系列提供18個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和17個(gè)邏輯級(jí)部件。PANJIT的晶圓技術(shù)使第2代SGT mosfet能夠產(chǎn)生低柵電荷和R(DS(ON))，以最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，并創(chuàng)建優(yōu)秀的......
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2023-03-02
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PANJIT n通道增強(qiáng)模式mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT的n通道增強(qiáng)模式MOSFET是一種高性能的半導(dǎo)體器件，用于電子開(kāi)關(guān)和電流調(diào)節(jié)等應(yīng)用。這種MOSFET在AEC-Q101合格的封裝中提供，確保了其在汽車(chē)電子等應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。特性低反向傳輸電容：PANJIT的n通道增強(qiáng)模式MOSFET在DFN5060-8L封裝中提供了低反向傳輸電容，這有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失和噪聲......
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2022-11-23
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PANJIT 650V n通道超級(jí)結(jié)mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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PANJIT 650V N通道超級(jí)結(jié)MOSFET是一款高性能的半導(dǎo)體器件，專為高電壓、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是對(duì)其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)歸納：介紹PANJIT的650V N通道超級(jí)結(jié)MOSFET采用了先進(jìn)的超級(jí)結(jié)（Super Junction）技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)優(yōu)化PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻（Rdson）和更高的開(kāi)關(guān)效率。......
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2022-05-06
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