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Rectron RM2312 n通道增強(qiáng)模式功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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Rectron RM2312 n通道增強(qiáng)模式功率MOSFET使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)秀的R(DS(ON))。MOSFET具有低柵電荷和低至2.5V柵電壓的工作特性。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
特性
V(ds) = 20v, i (d) 4.5a
R(DS(ON))小于45毫歐 @ V(GS)=1.8V
R(DS(ON))小于40毫歐 @ V(GS)=2.5V
R(DS(ON))小于33毫歐 @ V(GS)=4.5V
高功率和電流處理能力
獲得無鉛產(chǎn)品
表面安裝包
應(yīng)用程序
電池保護(hù)
電源管理
包裝3K/卷，9K/盒，72K/紙箱
無鹵
P/N后綴V表示AEC-Q101合格，例如:RM2312V
責(zé)任編輯：David
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