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ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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原標題：ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用如下：
介紹
RX3G07CGNC16是ROHM Semiconductor生產(chǎn)的一款功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），屬于N型通道（N-CH）的MOSFET。該型號晶體管采用TO-220AB封裝，適用于各種需要高電流、高電壓控制的電子電路。
特性
電氣參數(shù)：
漏源電壓(Vdss)：40V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：70A
驅(qū)動電壓(最大RdsOn, 最小RdsOn)：未提供具體數(shù)值
不同Id、Vgs時導通電阻(最大值)：4.7毫歐 @ 70A, 10V
不同Id時Vgs(th)(最大值)：2.5V @ 500μA
Vgs(最大值)：±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值)：2410pF @ 20V
熱參數(shù)：
功率耗散(最大值)：78W(Tc)
工作溫度：150°C(TJ)
其他特性：
封裝類型：TO-220AB，通孔安裝
技術(shù)標準：MOSFET N-CH 40V 70A
應(yīng)用分類：晶體管 - FET, MOSFET - 單個
應(yīng)用
RX3G07CGNC16功率MOSFET適用于需要高電流、高電壓控制的電子電路，如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電池保護等。其高電流承載能力和低導通電阻使得它在這些應(yīng)用中能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電路保護。此外，由于其高工作溫度，RX3G07CGNC16也適用于一些高溫工作環(huán)境下的電路應(yīng)用。
綜上所述，ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET以其優(yōu)異的電氣參數(shù)、熱參數(shù)和其他特性，在各種高功率電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。
責任編輯：David
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