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Nexperia BXK9Q29-60A n溝道MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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安派瑞B(yǎng)XK9Q29-60A n溝槽MOSFET是一種采用溝槽MOSFET技術(shù)的小型SOT8002-3 (MLPAK33) SMD塑料封裝中的增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。該n溝道MOSFET具有邏輯級(jí)兼容，快速開關(guān)，并且在175°C下完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。BXK9Q29-60A溝槽MOSFET的最大漏源電壓為60V，最大漏極峰值電流為84A，最大總功耗為27W。該n溝道MOSFET還具有23.7毫歐典型漏源導(dǎo)通電阻，25mJ最大非重復(fù)漏源雪崩能量和15.8A最大非重復(fù)雪崩電流。BXK9Q29-60A溝槽MOSFET符合歐盟/CN rohs標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括LED照明、開關(guān)電路和DC-DC轉(zhuǎn)換。
特性
邏輯電平兼容
非?？斓那袚Q
溝槽MOSFET技術(shù)
175°C下符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)駕駛
用于光學(xué)焊料檢查的可濕側(cè)面
規(guī)范
最大漏源電壓60V
最大峰值漏極電流
最大總功耗27W
23.7毫歐典型漏源導(dǎo)通電阻
25mJ最大非重復(fù)漏源雪崩能量
15.8最大非重復(fù)雪崩電流
結(jié)溫范圍-55℃至175℃
應(yīng)用程序
LED照明
開關(guān)電路
直流-直流轉(zhuǎn)換
責(zé)任編輯：David
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