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onsemi NVMFS5C604N單n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用

來(lái)源： hqbuy

2024-03-05

類別：基礎(chǔ)知識(shí)

拍明芯城

onsemi NVMFS5C604N單n通道功率MOSFET具有288A連續(xù)漏極電流，1.2毫歐在10V R(DS(ON))和60V漏源電壓。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引線封裝，設(shè)計(jì)緊湊高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽車應(yīng)用的理想選擇。

特性

占地面積小(5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊
低R(DS(on))，最小化傳導(dǎo)損耗
低Q(G)和電容，最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFS5C604NWF -可濕側(cè)翼選項(xiàng)，用于增強(qiáng)光學(xué)檢查
通過(guò)aec - q101認(rèn)證，具備ppap能力
無(wú)鉛，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序

電池反保護(hù)
開(kāi)關(guān)電源
電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)、低側(cè)驅(qū)動(dòng)、h橋等)

規(guī)范

最大連續(xù)漏極電流
1.2毫歐最大10V R(DS(ON))
60V漏源電壓
±20V柵源電壓
900A脈沖漏極電流
-55°C至+175°C工作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍

典型的應(yīng)用程序

責(zé)任編輯：David

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標(biāo)簽： onsemi NVMFS5C604N n溝道MOSFET