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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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onsemi NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V, 9.2毫歐和50A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設計，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導損耗和低柵極電荷(Q(G))和電容以最小化驅(qū)動器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET通過aec - q101認證，支持ppap。該MOSFET適用于反向電池保護、電源開關、開關電源和其他需要增強板級可靠性的汽車應用。
特性
占地面積小(5mm x 6mm)，設計緊湊
低R(DS(ON))，最小化傳導損耗
低Q(G)和電容，最大限度地減少驅(qū)動器損耗
60V漏極到源電壓(V(DSS))
50A連續(xù)漏極電流(I(D)) @T(C) = 25℃
9.2毫歐漏極到源極導通電阻(R(DS(on)))
LFPAK4封裝，行業(yè)標準
通過AEC-Q101認證，具備PPAP能力
無鉛，符合rohs標準
應用程序
電池反保護
電源開關(如高側驅(qū)動器、低側驅(qū)動器和h橋)
電磁閥驅(qū)動
電機控制
負荷開關
開關電源
包的尺寸
責任編輯：David
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