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onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用

來源： hqbuy

2024-03-04

類別：基礎(chǔ)知識(shí)

拍明芯城

onsemi NVTYS014N08HL功率MOSFET是一款80V, 13.9毫歐和40A單n溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有高熱性能。該MOSFET具有低R(DS(ON))以最小化傳導(dǎo)損耗和低電容以最小化驅(qū)動(dòng)器損耗。NVTYS014N08HL功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證，具有ppap能力。該MOSFET適用于反向電池保護(hù)，電源開關(guān)，開關(guān)電源和其他汽車應(yīng)用。

特性

占地面積小(3.3mm x 3.3mm)，設(shè)計(jì)緊湊
低R(DS(ON))，最小化傳導(dǎo)損耗
低電容，最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
80V漏極到源電壓(V(DSS))
40A連續(xù)漏極電流(I(D)) @T(C) = 25℃
13.9毫歐漏極到源極導(dǎo)通電阻(R(DS(on)))
LFPAK33包
通過AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
無鉛，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序

電池反保護(hù)
電源開關(guān)(如高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和h橋)
電磁閥驅(qū)動(dòng)
電機(jī)控制
負(fù)荷開關(guān)
開關(guān)電源

責(zé)任編輯：David

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標(biāo)簽： onsemi NVTYS014N08HL 功率MOSFET