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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動器損耗。
特性
低QG和電容
低R (DS(上))
占地面積小(5mm x 6mm)
通過AEC-Q101認證，具備PPAP能力
不含鉛，不含鹵素/ bfr，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
電動工具
電池驅(qū)動的真空吸塵器
無人機/無人駕駛飛機
材料處理
BMS /存儲
家庭自動化。
應(yīng)用電路圖
責(zé)任編輯：David
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