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Analog Devices ADPA1113 GaN功率放大器的介紹、特性、及應用
Analog Devices ADPA1113 GaN功率放大器的介紹、特性、及...
Analog Devices公司ADPA1113 GaN功率放大器在2.3GHz至5.7GHz范圍內(nèi)提供46.5dBm (44.7W)輸出，功率效率提高39.0%。The Analog Devices Inc.ADPA1113在整個頻率范圍內(nèi)無縫工作，無需外部匹配、交流耦合或外部電感進行偏置。該設備適用于軍用干擾機和雷達等連續(xù)波應用。特性......
Anal... ADPA... GaN功...
2024-04-03
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Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場效應管的介紹、特性、及應用
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場效...
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應管結合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一種正常關閉的器件，使用Transphorm的Gen IV平臺。第四代SuperGaN平臺采用先進的epi和專利設計技術，簡化了可制......
Tran... TP65... GaN場...
2024-03-21
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Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET(50毫歐氮化鎵(GaN)正常關閉器件)的介紹、特性、及應用
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺，該平臺支持先進的epi和專利設計技術，可簡化制造過程。TP65H050G4YS 650V FET結合了最先進的高......
Tran... TP65... Supe...
2024-03-21
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Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN GaN場效應管的介紹、特性、及應用
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN ...
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應管是一種240毫歐正常關閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺，該平臺結合了先進的epi和專利設計技術，以簡化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場效應管結合了最先進的高壓......
Tran... TP65... GaN場...
2024-03-21
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如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機逆變器
如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機逆變器...
　　作者：Bill Schweber　　推動更有效地利用能源、更嚴格的監(jiān)管要求以及冷卻器運行的技術優(yōu)勢都支持了最近減少電動機功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開關技術很普遍，但它們通常無法滿足關鍵逆變器應用更苛刻的性能和效率目標?！　∠喾?，設計人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來實現(xiàn)這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器......
GaN功... 電機逆變... EPC2...
2024-03-07
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Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET in TOLT的介紹、特性、及應用
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標準MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統(tǒng)中，不允許傳統(tǒng)的表面貼裝設備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關閉器件，結合了......
Tran... TP65... Supe...
2024-02-28
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適用于自主駕駛車輛激光探測及測距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC2252)快速指南(EPC9989內(nèi)插器板)
適用于自主駕駛車輛激光探測及測距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC225...
　　作者：Kenton Williston　　激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W......
LiDA... GaN ... 自主駕駛...
2024-02-18
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Analog Devices ltc7891-az評估板(LTC7891 100V降壓同步GaN場效應管控制器)的介紹、特性、及應用
Analog Devices ltc7891-az評估板(LTC7891 100...
Analog Devices公司EVAL-LTC7891-AZ評估板采用LTC7891 100V降壓同步GaN場效應管控制器。LTC7891專門設計通過內(nèi)部優(yōu)化的自引導開關和智能死區(qū)時間控制，安全輕松地驅(qū)動高達100V的GaN場效應管。分柵驅(qū)動器允許很容易地調(diào)節(jié)fet的接通和關斷。此外，該IC具有低IQ，高達3MHz可編程/同步開關頻率，......
LTC7... GaN場... EVAL...
2024-01-30
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Analog Devices LT8418半橋GaN驅(qū)動器的介紹、特性、及應用
Analog Devices LT8418半橋GaN驅(qū)動器的介紹、特性、及應用
Analog Devices公司LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅(qū)動級，驅(qū)動邏輯控制和保護。驅(qū)動程序可以配置為同步半橋、全橋拓撲或降壓、升壓和降壓-升壓拓撲。LT8418提供強大的電流源/下沉能力，具有0.6歐姆上拉和0.2歐姆下拉電阻。它還集成了一個智能集成引導開關，從V(CC)產(chǎn)生一個平衡的引導電壓，并......
Anal... LT84... GaN驅(qū)...
2024-01-30
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Analog Devices EVAL-LT8418-BZ評估板（LT8418半橋式GaN驅(qū)動器）的介紹、特性、及應用
Analog Devices EVAL-LT8418-BZ評估板（LT8418半...
Analog Devices公司EVAL-LT8418-BZ評估板的特點是LT8418在半橋配置中驅(qū)動兩個100V增強型氮化鎵(eGaN)場效應管。該電路被優(yōu)化為降壓變換器，但可以用作升壓變換器或由半橋組成的其他變換器拓撲。評估電路提供高達10A，具有良好的熱管理。根據(jù)配置的不同，需要一個或兩個外部PWM信號來驅(qū)動電路板。在單輸入設置中，......
EVAL... LT84... GaN驅(qū)...
2024-01-22
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88gan寬禁帶半導體材料基本特性、制造工藝、應用場景以及未來發(fā)展趨勢
88gan寬禁帶半導體材料基本特性、制造工藝、應用場景以及未來發(fā)展趨勢
摘要88gan是一種常用的元器件，具有廣泛的應用領域。本文將從四個方面對88gan進行詳細闡述，包括其基本特性、制造工藝、應用場景以及未來發(fā)展趨勢。一、基本特性88gan是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性。它具有高電子遷移率、高飽和漂移速度和較低的功耗等優(yōu)點。此外，88gan還具有較高的熱穩(wěn)定性和抗輻射能力，在極端環(huán)境下仍能保持穩(wěn)......
88ga... 寬禁帶半...
2023-08-15
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56gan基本特性、制造工藝、應用場景和未來發(fā)展趨勢
56gan基本特性、制造工藝、應用場景和未來發(fā)展趨勢
摘要56gan是一種常見的元器件，具有廣泛的應用領域。本文將從四個方面對56gan進行詳細闡述，包括其基本特性、制造工藝、應用場景和未來發(fā)展趨勢。一、基本特性56gan是一種高頻功率半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性。它具有較高的飽和電子遷移率和較大的擊穿電壓，能夠在高頻率下實現(xiàn)低損耗傳輸。此外，56gan還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在極端......
56ga...
2023-08-15
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基于Infineon BLC6G10L-150、NXP BLF888A、GaN Systems GS65516B射頻晶體管實現(xiàn)一種新型WCDMA直放站PA的設計方案
基于Infineon BLC6G10L-150、NXP BLF888A、GaN ...
　　一種新型WCDMA直放站PA的設計方案　　設計一種新型的WCDMA直放站功放(Power Amplifier，PA)涉及到射頻電路設計、功率放大、線性性能優(yōu)化等方面。以下是一個基本的WCDMA直放站功放設計方案的概述：　　需求分析：　　確定功放的頻率范圍、輸出功率、線性性能、效率等需求?！　》治霾煌剖较碌奶攸c，如WCDMA的寬帶信......
WCDM...
2023-08-08
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Allegro MicroSystems APEK85110KNH-01-T-MH評估板(AHV85110隔離GaNFET柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應用
Allegro MicroSystems APEK85110KNH-01-T-M...
　　Allegro MicroSystems APEK85110KNH-01-T-MH評估板旨在評估和演示AHV85110隔離GaNFET柵極驅(qū)動器。AHV85110柵極驅(qū)動器包括一個隔離輸出偏置電源集成到驅(qū)動器中，消除了外部柵極驅(qū)動輔助偏置電源或高側自舉的需要。典型的應用包括電動汽車充電器，OBC, AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，運......
Alle... AHV8... 柵極驅(qū)動...
2023-07-18
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mode GaN場效應管的介紹、特性、及應用
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V E-mo...
　　ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN 650V e模氮化鎵(GaN)場效應管利用低導通電阻和高速開關來實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。高可靠性的GNP1 fet內(nèi)置ESD保護和良好的散熱，便于安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉(zhuǎn)換器?！　√匦浴　?50V e型GaN場效應管　　低ON電阻　　高速開關　　內(nèi)置ESD......
ROHM 場效應管 GNP1
2023-07-06
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Qorvo QPA0001 GaN驅(qū)動放大器的介紹、特性、及應用
Qorvo QPA0001 GaN驅(qū)動放大器的介紹、特性、及應用
　　Qorvo QPA0001 GaN驅(qū)動放大器基于SiC工藝的0.15 μ m QGaN15，采用4mm x 3mm x 0.65mm模具封裝的QFN封裝。這些放大器具有8.5GHz至10.5GHz的工作頻率范圍，2W的飽和輸出功率，50%的功率附加效率和27dB的大信號增益。QPA0001放大器還具有33dBm輸出功率，-40°C至......
Qorv... QPA0... GaN驅(qū)...
2023-07-05
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德州儀器LMG2610 GaN半橋IC的介紹、特性、及應用
德州儀器LMG2610 GaN半橋IC的介紹、特性、及應用
　　德州儀器LMG2610 GaN半橋IC是一款650V GaN功率場效應晶體管半橋，適用于開關模式電源應用中小于75W的有源箝位反激(ACF)轉(zhuǎn)換器。LMG2610通過在9mm × 7mm QFN封裝中集成柵極驅(qū)動器、半橋功率fet、自舉二極管和高側柵極驅(qū)動器電平移位器，減少了組件數(shù)量，簡化了設計，并減少了板空間。非對稱GaN F......
德州儀器 LMG2... GaN半...
2023-04-14
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CUI Inc SDM300G-U & SDM300G-UR GaN適配器的介紹、特性、及應用
CUI Inc SDM300G-U & SDM300G-UR GaN適配器的介紹...
　　CUI Inc SDM300G-U和SDM300G-UR GaN適配器提供了90V(AC)到264V(AC)的通用輸入范圍，最大輸出電流為24A，以及VI級效率。這些適配器提供多種保護，包括過壓、過流、過溫和短路。CUI Inc SDM300G SDM300G- u和SDM300G- ur適配器具有GaN技術，體積緊湊，單調(diào)節(jié)輸出......
CUI GaN適... SDM3...
2023-02-23
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為什么以及如何將GaN場效應晶體管應用于高效、更高電壓、開關模式電源應用
為什么以及如何將GaN場效應晶體管應用于高效、更高電壓、開關模式電源應用
　　面對社會和監(jiān)管要求，電源效率是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是，對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎設施的各種應用，功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度對于設計成功至關重要?！　榱藵M足這些要求，開關模式電源系統(tǒng)的設計人員需要從使用傳統(tǒng)的硅(Si)基金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)轉(zhuǎn)變，因為它們正在迅速接近......
場效應晶... FET驅(qū)... 柵極驅(qū)動...
2023-01-30
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SiC和GaN的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)快速采用
SiC和GaN的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)快速采用
SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)主要集中在以下幾個方面：1. 生產(chǎn)挑戰(zhàn)生產(chǎn)速度：SiC的生產(chǎn)過程相較于傳統(tǒng)的硅基材料更為緩慢。例如，用于生產(chǎn)SiC的過程需要很長時間，而硅晶片則是通過Czochralski工藝快速生產(chǎn)，其中數(shù)米長的硅晶錠從1500°C的熔融硅桶中拉出。加工難度：SiC和GaN作為硬而脆的材料，加工難度較大......
SiC GaN 功率晶體...
2022-12-16
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