意法半導體TIP41C NPN功率晶體管中文資料一、型號與類型TIP41C是一款由美國得克薩斯儀表公司（現(xiàn)可能隸屬于意法半導體或其他半導體制造商）生產(chǎn)的NPN型中功率三極管。這款晶體管以其廣泛的應(yīng)用范圍和穩(wěn)定的性能在電子行業(yè)中享有較高聲譽。TIP41C作為NPN型三極管，具有三個主要區(qū)域：發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極......

ON安森美NJW0281G NPN雙極型功率晶體管中文資料一、型號與類型NJW0281G是ON安森美（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款NPN雙極型功率晶體管，其型號為NJW0281G，屬于雙極結(jié)型晶體管（BJT）類別。這款晶體管以其出色的性能和高可靠性，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。廠商名稱：ON安森美元件分類：三極管中文描......

意法半導體 MJE3055T NPN 功率晶體管中文資料型號類型MJE3055T 是意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一種NPN型功率晶體管。它是中功率、高電流和高壓的代表產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。NPN型晶體管是指其內(nèi)部結(jié)構(gòu)中具有一個P型半導體層夾在兩個N型半導體層之間，其符號為射極（E）、基極（B）和集電極......

ON安森美BU406G雙極功率晶體管ON安森美半導體（ON Semiconductor）是一家全球領(lǐng)先的半導體制造商，提供各種電子元器件及解決方案。BU406G是其生產(chǎn)的雙極功率晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）中的一個經(jīng)典型號，主要用于高電壓、大電流場合。BU406G屬于NPN型功率晶體管，具有高......

onsemi MJL21193G PNP雙極互補型音頻功率晶體管中文資料一、型號簡介1.1 型號說明MJL21193G 是 onsemi 生產(chǎn)的一款 PNP 型雙極互補型音頻功率晶體管，廣泛應(yīng)用于音頻功率放大器及其他高功率應(yīng)用領(lǐng)域。其 NPN 對應(yīng)型號為 MJL21194G，兩者組合使用能夠提供優(yōu)異的音頻性能。MJL21193G 晶體管在......

安森美MJE2955T PNP功率晶體管1. 型號及類型安森美（ON Semiconductor）MJE2955T是一款PNP功率晶體管，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MJE2955T屬于塑封功率晶體管系列，具有較高的電流和電壓承受能力。PNP型晶體管的主要特點是，當基極（B）相對于發(fā)射極（E）為負時，晶體管處于導通狀態(tài)。MJE2955T的型......

意法半導體D44H11 NPN互補功率晶體管意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的D44H11是一款NPN互補功率晶體管，常用于電源管理和電機控制等應(yīng)用。這款晶體管的互補型號是D45H11，為PNP型互補功率晶體管。D44H11屬于單極型雙極性晶體管（BJT），與其互補型號D45H11一起，常用于推挽放大器電路中。推挽放......

SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的生產(chǎn)和成本挑戰(zhàn)主要集中在以下幾個方面：1. 生產(chǎn)挑戰(zhàn)生產(chǎn)速度：SiC的生產(chǎn)過程相較于傳統(tǒng)的硅基材料更為緩慢。例如，用于生產(chǎn)SiC的過程需要很長時間，而硅晶片則是通過Czochralski工藝快速生產(chǎn)，其中數(shù)米長的硅晶錠從1500°C的熔融硅桶中拉出。加工難度：SiC和GaN作為硬而脆的材料，加工難度較大......

英飛凌800V CoolMOS? P7功率晶體管是一款基于超級結(jié)技術(shù)的高性能產(chǎn)品，以下是對其的介紹、特性及應(yīng)用的詳細分析：介紹英飛凌800V CoolMOS? P7系列功率晶體管是專為低功率SMPS（開關(guān)模式電源）應(yīng)用設(shè)計的。這款產(chǎn)品結(jié)合了一流的性能與最先進的易用性，為800V超級結(jié)技術(shù)樹立了新的標桿。特性高效能：相比于其前代產(chǎn)品和在典型......

2022年功率晶體管銷售額和ASP（平均售價）均增長11%根據(jù)IC Insights發(fā)布的最新報告，2022年功率晶體管的銷售額和平均售價均實現(xiàn)了顯著的增長，具體表現(xiàn)為：銷售額增長：2022年功率晶體管的銷售額預(yù)計將增長11%，達到245億美元。這一增長主要是由于供應(yīng)緊張、元器件缺貨等因素推動了功率晶體管的平均售價上漲，達到了2010年以......

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出的氮化鎵（GaN）功率半導體PowerGaN系列，確實在提升電源能效和減小體積方面展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。以下是對該系列產(chǎn)品的詳細分析：一、產(chǎn)品概述意法半導體的PowerGaN系列是基于氮化鎵（GaN）材料的功率半導體產(chǎn)品，該系列屬于意法半導體的STPOWER產(chǎn)品組合。氮化鎵作為......

埃賦?。ˋmpleon）推出的400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管（型號為BLC10G27XS-400AVT）是該公司在射頻功率領(lǐng)域的一項重要創(chuàng)新，旨在擴展其LDMOS基站和多載波產(chǎn)品線。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：一、產(chǎn)品特點高功率與耐用性：該晶體管提供400W的功率輸出，專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內(nèi)工作的......