ON安森美BU406G雙極功率晶體管中文資料


ON安森美BU406G雙極功率晶體管
ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,提供各種電子元器件及解決方案。BU406G是其生產(chǎn)的雙極功率晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT)中的一個經(jīng)典型號,主要用于高電壓、大電流場合。BU406G屬于NPN型功率晶體管,具有高耐壓、高電流的特點(diǎn),適用于開關(guān)電源、音頻功放等高功率應(yīng)用。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:三極管
中文描述: 單晶體管雙極,NPN,200 V,7 A,60 W,TO-220,通孔
英文描述: Bipolar Transistors-BJT 7A 200V 60W NPN
數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k02-24028936-BU406G.html
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BU406G概述
BU406G此雙極功率晶體管是一款電壓、高速晶體管,用于TV和CRT的水平偏轉(zhuǎn)輸出級。
特性
高電壓:V CEV=330或400 V
快速開關(guān)速度:t f=750 ns(最大值)
低飽和電壓:V CE(sat)=1 V(最大值) 5 A
采用緊湊型JEDEC TO-220AB封裝
提供無鉛封裝
BU406G中文參數(shù)
晶體管類型 NPN
最大集電極-發(fā)射極電壓 400 V 直流
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
最大功率耗散 60 W
晶體管配置 單
最大發(fā)射極-基極電壓 6 V
引腳數(shù)目 3
每片芯片元件數(shù)目 1
BU406G引腳圖
型號類型
BU406G為NPN型雙極功率晶體管,其主要型號及后續(xù)系列包括:
BU406:基礎(chǔ)型號,提供基本的功率開關(guān)功能。
BU406D:帶有快速恢復(fù)二極管,提高了開關(guān)速度和效率。
BU406G:增強(qiáng)型型號,具有更高的電壓和電流承受能力。
這些型號在性能參數(shù)上有所區(qū)別,以適應(yīng)不同的應(yīng)用場景和需求。
工作原理
雙極功率晶體管(BJT)的工作原理基于PN結(jié)的電子和空穴傳導(dǎo)特性。BU406G作為NPN型BJT,其結(jié)構(gòu)包括一個P型基區(qū)夾在兩個N型區(qū)之間,分別為發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)。
基本原理
當(dāng)基極B與發(fā)射極E之間施加正向偏壓(V_BE),P型基區(qū)的空穴與N型發(fā)射極的電子復(fù)合,形成電流流過發(fā)射極進(jìn)入基極。與此同時,由于基極較薄且摻雜濃度低,大部分電子會在基區(qū)擴(kuò)散并通過基區(qū)到達(dá)集電極形成集電極電流(I_C)。該過程由公式I_C ≈ βI_B描述,其中β是晶體管的電流增益。
當(dāng)集電極C與發(fā)射極E之間施加正向電壓(V_CE)時,集電極電流進(jìn)一步增強(qiáng),實(shí)現(xiàn)電流的放大與控制?;谶@一工作原理,BU406G可以在高壓大電流環(huán)境中高效工作,廣泛用于開關(guān)和放大電路中。
特點(diǎn)
BU406G晶體管具有以下顯著特點(diǎn):
高電壓耐受能力:集電極-發(fā)射極擊穿電壓(V_CEO)高達(dá)400V,適合高壓應(yīng)用場合。
大電流處理能力:最大集電極電流(I_C)為7A,能處理大電流負(fù)載。
快速開關(guān)特性:具有較快的開關(guān)速度,適合高頻開關(guān)電路。
高功率密度:晶體管能夠在小封裝內(nèi)處理較高功率,提升電路集成度。
穩(wěn)健可靠:具有較高的熱穩(wěn)定性和電流增益穩(wěn)定性,確保長期穩(wěn)定工作。
應(yīng)用
由于其優(yōu)異的電氣性能,BU406G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
開關(guān)電源:用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源中,提供穩(wěn)定的電壓和電流輸出。
音頻功放:在音頻功率放大器中用于驅(qū)動揚(yáng)聲器,提供高質(zhì)量的音頻輸出。
電機(jī)控制:用于電動機(jī)驅(qū)動電路,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精確控制和調(diào)速。
逆變器:在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)中,用于轉(zhuǎn)換直流電為交流電。
照明控制:在LED驅(qū)動電路中,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
參數(shù)
BU406G的主要參數(shù)如下:
最大集電極-發(fā)射極電壓(V_CEO):400V
最大集電極電流(I_C):7A
最大基極電流(I_B):3A
集電極-發(fā)射極飽和電壓(V_CE(sat)):1.5V(典型值)
集電極功耗(P_C):75W
電流增益(h_FE):15-60
存儲時間(t_s):1.2μs(典型值)
上升時間(t_r):0.3μs(典型值)
總結(jié)
BU406G作為ON安森美推出的高性能NPN型雙極功率晶體管,憑借其高電壓、大電流、高功率密度和快速開關(guān)等特點(diǎn),在開關(guān)電源、音頻功放、電機(jī)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。其優(yōu)越的電氣性能和穩(wěn)定性使其成為高功率應(yīng)用中的理想選擇。
責(zé)任編輯:David
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