安森美MJE2955T PNP功率晶體管中文資料


安森美MJE2955T PNP功率晶體管
1. 型號(hào)及類型
安森美(ON Semiconductor)MJE2955T是一款PNP功率晶體管,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MJE2955T屬于塑封功率晶體管系列,具有較高的電流和電壓承受能力。PNP型晶體管的主要特點(diǎn)是,當(dāng)基極(B)相對(duì)于發(fā)射極(E)為負(fù)時(shí),晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
MJE2955T的型號(hào)解讀如下:
MJE:表示其屬于中功率塑封晶體管系列。
2955:具體型號(hào),表示該晶體管的性能和參數(shù)。
T:代表其封裝形式為TO-220,適用于通用功率放大和開關(guān)應(yīng)用。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:晶體管
中文描述: 單晶體管雙極,PNP,60 V,10 A,75 W,TO-220,通孔
英文描述: Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k02-24033745-MJE2955T.html
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MJE2955T中文參數(shù)
晶體管類型 | PNP | 最大集電極-基極電壓 | 70 V |
最大直流集電極電流 | 0.416666667 | 最大發(fā)射極-基極電壓 | 5 V |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 60 V | 最大工作頻率 | 2 MHz |
封裝類型 | TO-220 | 引腳數(shù)目 | 3 |
安裝類型 | 通孔 | 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最大功率耗散 | 75 W | 尺寸 | 9.15 x 10.4 x 4.6mm |
晶體管配置 | 單 |
MJE2955T概述
MJE2955T是用于電源開關(guān)電路和通用放大器的-60V硅外延基PNP功率晶體管。快速的開關(guān)時(shí)間和非常低的飽和電壓可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。
與MJE3055T互補(bǔ)
良好控制的hFE參數(shù)可提高可靠性
應(yīng)用
工業(yè)
MJE2955T引腳圖
2. 工作原理
MJE2955T是一種雙極型結(jié)晶體管(BJT),其基本工作原理與其他PNP型BJT相同。PNP晶體管由兩個(gè)P型半導(dǎo)體材料和一個(gè)N型半導(dǎo)體材料組成,N型材料位于中間,形成一個(gè)PNP結(jié)構(gòu)。
在PNP晶體管中:
當(dāng)基極電壓低于發(fā)射極電壓時(shí),基極-發(fā)射極結(jié)反向偏置,基極-集電極結(jié)正向偏置,晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
電子從基極區(qū)注入到發(fā)射極區(qū),形成基極電流(IB),同時(shí)大量電子從發(fā)射極區(qū)進(jìn)入集電極區(qū),形成集電極電流(IC)。
發(fā)射極電流(IE)是集電極電流和基極電流之和,即IE = IC + IB。
由于基極電流遠(yuǎn)小于集電極電流和發(fā)射極電流,因此通過控制基極電流,可以控制較大的集電極電流,從而實(shí)現(xiàn)電流放大和開關(guān)功能。
3. 特點(diǎn)
MJE2955T具有以下顯著特點(diǎn):
高電流能力:其集電極電流(IC)最大值可達(dá)15A,適用于大電流應(yīng)用。
高電壓耐受性:集電極-發(fā)射極電壓(VCEO)最大值為60V,集電極-基極電壓(VCBO)最大值為70V。
低飽和電壓:在較大電流條件下,集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))較低,提高了效率。
良好的熱穩(wěn)定性:封裝形式為TO-220,具有良好的散熱性能,有助于晶體管在高功率條件下穩(wěn)定工作。
高增益:直流電流增益(hFE)在100至300之間,提供了較好的電流放大能力。
4. 應(yīng)用
MJE2955T廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
電源開關(guān)電路:由于其高電流和高電壓能力,MJE2955T常用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理電路中。
音頻功率放大器:其高增益和低飽和電壓特性,使其適用于音頻功率放大器電路,能夠提供高保真音質(zhì)。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中,MJE2955T可以有效地驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)。
通用開關(guān)應(yīng)用:作為通用開關(guān)器件,MJE2955T在各類電子設(shè)備中均有廣泛應(yīng)用,如家用電器、工業(yè)控制和通信設(shè)備等。
5. 參數(shù)
MJE2955T的主要參數(shù)如下:
最大額定值:
集電極-發(fā)射極電壓(VCEO):60V
集電極-基極電壓(VCBO):70V
發(fā)射極-基極電壓(VEBO):5V
集電極電流(IC):15A
基極電流(IB):7A
功耗(Ptot):115W(@TC = 25°C)
電氣特性:
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)):典型值1.1V(IC = 10A, IB = 1A)
基極-發(fā)射極電壓(VBE):最大值2V(IC = 10A, VCE = 4V)
直流電流增益(hFE):100-300(IC = 4A, VCE = 4V)
熱特性:
結(jié)溫(TJ):最高值150°C
熱阻(結(jié)到外殼,RθJC):1.52°C/W
MJE2955T作為一款性能優(yōu)越的PNP功率晶體管,憑借其高電流、高電壓、低飽和電壓等特點(diǎn),在電源開關(guān)、音頻放大、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)具體電路要求,合理選擇工作點(diǎn)和偏置電路,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。
責(zé)任編輯:David
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