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什么是SiC肖特基勢壘二極管
什么是SiC肖特基勢壘二極管
SiC肖特基勢壘二極管，也被稱為碳化硅肖特基二極管或SiC碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD），是利用碳化硅（SiC）這種化合物半導體材料制作的二極管。它的基本原理是利用金屬與N型半導體之間形成的接觸勢壘具有整流特性。碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料制成，其結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管相似，但沒有PN結(jié)。它由金屬反型接觸和一個P型碳化硅半導......
SiC肖...
2024-05-07
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英飛凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介紹、特性、及應用
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英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中最低的損耗和最高的運行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級，導通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術可實現(xiàn)靈活的參數(shù)設置......
英飛凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，實現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過程中轉(zhuǎn)化為更高的效率。英飛凌CoolSiC 650V G2 mosfet為各種功率半導體應用提供了優(yōu)勢，如光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅(qū)動和工業(yè)電源。配備CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站的功率損耗比前幾代產(chǎn)品減少了......
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2024-04-18
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊(低開關損耗)的介紹、特性、及應用
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模塊提供低開關損耗，低結(jié)殼熱阻，非常堅固，易于安裝。這些模塊直接安裝在散熱器(隔離封裝)，并包括一個開爾文參考穩(wěn)定運行。所有部件都經(jīng)過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模塊的突出特點是穩(wěn)健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模塊工作在175°C結(jié)溫下，符合rohs標準。典型應......
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2024-03-28
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IXYS ix4352ne9a低側(cè)SiC MOSFET和ight驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應用
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IXYS IX4352NE 9A低側(cè)SiC MOSFET和IGBT驅(qū)動器是柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅(qū)動器具有獨立的9A源和接收輸出，允許定制的導通和關斷時間，同時最大限度地減少開關損耗。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器提供用戶可選擇的負柵極驅(qū)動偏置，以提高dV/dt抗擾度和更快的關斷速度......
IXYS ix43... 柵極驅(qū)動...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V柵源電壓下的導通電阻僅為28毫歐。該n溝道MOSFET與流行的D2PAK 4引腳配合良好，并包含開爾文源引腳，可降低開關損耗并顯著提高能效。這款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩堅固性，能夠......
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2024-03-28
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NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件(GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器)的介紹、特性、及應用
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件...
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVM半橋評估套件具有兩個GD3162單通道IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器。NXP FRDMGD3162RPEVM配備Freedom KL25Z微控制器硬件，可通過PC上的Flex GUI軟件與GD3162柵極驅(qū)動設備進行通信。這種通信既可以發(fā)生在菊花鏈中，也可以發(fā)生......
GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫歐超低導通電阻，有助于最大限度地減少傳導損耗并提高電源應用中的能效。這種SiC MOSFET具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，可以在高結(jié)溫(高達+175°C)下工作，確保在惡劣和具有挑戰(zhàn)性的條件下可靠運行。1700V的......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-25
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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
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　　與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗并提高效率?！　　　oolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質(zhì)因數(shù)進行了改進。這些器件的快速......
英飛凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介紹、特性、及應用
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英飛凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的電力電子應用解決方案。英飛凌G2 mosfet在25°C時的額定電壓為1200V，在+100°C時的I(DDC)為6.2A，在18V柵源電壓時的R(DS(on))為233.9毫歐。這些mosfet具有優(yōu)異的電氣特性和極低的開關損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的工作。mosfet專為過載條......
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2024-03-05
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onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC電源模塊的介紹、特性、及應用
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onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC電源模塊以緊湊兼容的封裝提供更高的性能、效率和功率密度。onsemi NVXR22S90M2SPx模塊采用六封裝配置的900V SiC MOSFET，具有壓合引腳，易于組裝并增強了可靠性。該器件包括一個優(yōu)化的底板上的引腳翅片散熱器，并利用燒結(jié)技術來提高可靠性和熱效率。該模塊的設計......
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2024-02-20
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onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模塊可提高效率、功率密度和整體性能。onsemi NVXR17S90M2SPx模塊將900V SiC MOSFET集成在一個方便的六封裝配置中。該模塊具有用于信號端子的壓合引腳，易于組裝并提高了可靠性。此外，該器件在底板中包括一個優(yōu)化的引腳翅片散熱器，用于有效散熱。模具附件采......
ONSE... NVXR... SiC功...
2024-02-20
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英飛凌凌CoolSiC 汽車用750V G1 SiC溝槽mosfet可幫助電動汽車制造商打造11kW和22kW雙向車載充電器，提高效率、功率密度和可靠性。這些器件在高溫(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飛凌的專有技術。XT模具貼附技術，在同等尺寸的模具上實現(xiàn)最佳的熱阻抗。CoolSiC 750V G1技術提供非常高的魯......
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2024-01-25
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)場效應管的介紹、特性、及應用
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于獨特的“級聯(lián)編碼”電路配置的1200V, 23毫歐器件。在這種配置中，一個常開的SiC JFET與一個Si MOSFET一起封裝，產(chǎn)生一個常關的SiC FET器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換Si igbt, Si超級結(jié)器件或SiC......
Qorv... UF4S... G4碳化...
2024-01-24
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Microchip MSC400SMA330碳化硅(SiC) MOSFET的介紹、特性、及應用
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MSC400SMA330是Microchip的SiC MOSFET器件家族的一部分。Microchip的SiC解決方案專注于高性能，有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率，最小化系統(tǒng)重量和尺寸。Microchip經(jīng)過驗證的SiC可靠性也確保了終端設備在使用壽命期間不會出現(xiàn)性能下降。特性低電容和低柵極電荷內(nèi)部柵極電阻(ESR)低，開關速度快在高結(jié)溫下......
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2024-01-23
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英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒狀產(chǎn)品組合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封裝的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范圍為8.7毫歐至160毫歐， ID為+25°C，最大17A至205A。高功率......
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2024-01-22
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英飛凌科技1200V CoolSiC M1H模塊為電動汽車充電和其他逆變器設計人員提供了前所未有的效率和功率密度水平。當碳化硅(SiC)半導體用作開關時，在保持高可靠性的同時，允許更高的工作溫度和開關頻率，從而提高了整個系統(tǒng)的效率。英飛凌的1200V SiC MOSFET模塊系列提供卓越的柵極氧化物可靠性，這得益于其最先進的溝槽設計。這些......
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1、sick傳感器簡析及價格當代是科技高速發(fā)達的21世紀，也就是我們平常所說的互聯(lián)網(wǎng)時代，同樣我們也將其稱為信息時代。信息時代是伴隨著新技術革命的到來，在剛剛開始的時候我們最重要的就是要獲取更加準確以及可靠的信息。因為有這種需求，傳感器就從此誕生了。今天小編為大家?guī)淼木褪怯嘘P于sick傳感器的相關介紹。首先，先讓我們簡單的了解一下sic......
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2023-10-09
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1、sick光電傳感器怎么打開sick光電傳感器打開步驟操作如下：1、確保傳感器正確連接：檢查傳感器的電源線、信號線以及其他接口線是否正確連接到相應的設備或控制器上。2、檢查電源供應：確保傳感器的電源供應已接通并提供足夠的電力。如果傳感器需要外部電源，確保電源適配器或電池具有足夠的電力。3、調(diào)整傳感器參數(shù)：根據(jù)您的需求和使用場景，通過傳感......
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2023-09-12
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