英飛凌科技1200V CoolSiC M1H模塊為電動汽車充電和其他逆變器設(shè)計人員提供了前所未有的效率和功率密度水平。

當(dāng)碳化硅(SiC)半導(dǎo)體用作開關(guān)時，在保持高可靠性的同時，允許更高的工作溫度和開關(guān)頻率，從而提高了整個系統(tǒng)的效率。英飛凌的1200V SiC MOSFET模塊系列提供卓越的柵極氧化物可靠性，這得益于其最先進(jìn)的溝槽設(shè)計。

這些電源模塊封裝在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的EASY封裝中，可以根據(jù)不同的應(yīng)用需求進(jìn)行定制，并提供各種R(DSon)電平和電路配置，如3級，半橋接或6包。所有EasyPACK 和EasyDUAL MOSFET功率模塊都可以預(yù)先應(yīng)用熱界面材料(TIM)訂購，并提供其他功能。采用高性能氮化鋁(AlN)陶瓷的Easy模塊特別提高了R(thJH)的熱性能。

與硅(Si)相比，寬禁帶碳化硅(SiC)半導(dǎo)體具有更高的突破電場、更顯著的導(dǎo)熱性、更高的電子飽和速度和更低的本征載流子濃度等優(yōu)點。基于SiC材料的這些優(yōu)勢，SiC mosfet可用于高功率應(yīng)用的開關(guān)晶體管，例如用于車載/車載電動汽車(EV)充電器的太陽能逆變器。

好處

·更高頻率運(yùn)行
·增加功率密度
·效率最高，減少冷卻努力
·降低系統(tǒng)和操作成本

特性

• 與硅相比，開關(guān)損耗降低約80%

• 優(yōu)異的柵氧化可靠性

• 具有低反向恢復(fù)電荷的本征體二極管

• 最高閾值電壓V(th)大于4V

主打產(chǎn)品

FF4MR12W2M1H_B70
·雙配置
·簡易2B外殼
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低電感設(shè)計
·低開關(guān)損耗
·高電流密度
·改進(jìn)的陶瓷基板
·集成NTC溫度傳感器
·按fit接觸技術(shù)
·堅固的安裝由于集成安裝夾具

FF4MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低開關(guān)損耗
·低電感設(shè)計
·高電流密度
·堅固的安裝由于集成安裝夾具
·按fit接觸技術(shù)
·集成NTC溫度傳感器

FF6MR12W2M1_B70
·高電流密度
·低電感設(shè)計
·低開關(guān)損耗
·集成NTC溫度傳感器
·按fit接觸技術(shù)
·堅固的安裝由于集成安裝夾具
·改進(jìn)的陶瓷基板

FF6MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 150a / i (drm) = 300a
·低開關(guān)損耗
·低電感設(shè)計
·高電流密度
·堅固的安裝由于集成安裝夾具
·按fit接觸技術(shù)
·集成NTC溫度傳感器