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SiC功率模塊
SiC功率模塊
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  SiC功率模塊是節(jié)能環(huán)保的器件,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比有多項(xiàng)改進(jìn),有效地利用了電源和資源,并且在維持或提高性能的同時(shí)降低了功耗。例如,集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模塊中的開(kāi)關(guān)損耗顯著低于額定值等效的硅基IGBT模塊。此外,與傳統(tǒng)模塊不同,這些新型SiC產(chǎn)品支持100kHz以上的高頻操作,提高了感應(yīng)加熱用的高頻電源和混合動(dòng)力存儲(chǔ)系統(tǒng)等工業(yè)設(shè)備的效率。